Waldenburg, 10. Juli 2024 – Mit der WE-MXGI Serie bietet Würth Elektronik eine Speicherinduktivität mit bisher unerreichten Eigenschaften an. Durch extrem niedrige Kernverluste, gepaart mit dem bisher niedrigsten Wicklungswiderstand (RDC-Wert) aller vergleichbaren Produkte auf dem Markt, wird höchste Effizienz in Schaltregleranwendungen ermöglicht. Erreicht wurde dies durch ein innovatives Kernmaterial und eine optimierte Wicklungsgeometrie.

Die magnetisch geschirmte kompakte SMT-Speicherdrossel WE-MXGI ist damit ideal für hochfrequent taktende Schaltregler mit den neuen GaN- und SiC-Transistortechnologien geeignet. Entwickler haben mit der neuen Leistungsinduktivität WE-MXGI die Möglichkeit, effizientere Designs zu entwickeln, höhere Leistungen zu konvertieren und ihre Designs kompakter zu gestalten.

Damit eignet sich die Serie WE-MXGI hervorragend für Anwendungen wie DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Arrays (FPGA), POL-Wandler, tragbare Stromversorgung wie PDA oder Digitalkamera, Mainboards und Grafikkarten, batteriebetriebene Geräte, drahtlose Kommunikationsgeräte, Stromversorgungen für Smartphones, Tablet-PCs und andere mobile Geräte. Die Betriebsspannung liegt bei 80 V (DC), die Betriebstemperatur reicht von -40 °C bis 125 °C.

Die neuen Speicherdrosseln sind in den Formfaktoren 4020 und 5030 verfügbar, mit Induktivitäten von 0,16 bis 4,7 µH beziehungsweise 0,22 bis 10 µH und Strombelastbarkeit bis zu 28 A. Weitere Größen und Werte sind in Planung.

WE-MXGI ist ab sofort verfügbar. Kostenlose Muster werden gestellt.

Download

Pressemeldung als Microsoft® Word Dokument (deutsch)

Press release as Microsoft® Word Document (english)

Press release as Microsoft® Word Document (français)

Press release as Microsoft® Word Document (italiano)

Press release as Microsoft® Word Document (español)