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Würth Elektronik erweitert Transformatorserie für SiC-MOSFET-Gate-Treiber
Waldenburg, 26. Oktober 2023 – Würth Elektronik stellt neue Ergänzungen der WE-AGDT-Serie vor, mit einer Wicklungskapazität von weniger als 1 Picofarad, mehr Topologien und höheren Ausgangsspannungsoptionen. Alle Transformatoren verwenden das gleiche kompakte SMT EP7-Gehäuse mit den Abmessungen 11,3 x 10,95 x 11,94 mm.
WE-AGDT ist eine Serie von Auxiliary Gate Drive Transformern, welche bis zu 6 W für isolierte Hilfsversorgungen bereitstellt. Sie wurde speziell für SiC-MOSFET- und IGBT-Gate-Treibersysteme entwickelt. Aufgrund der hohen dv/dt, welche bei Designs mit Wide-Bandgap-Bauteilen entsteht, ist die Zwischenwicklungskapazität von hoher Bedeutung. Die neuen Produkte der Serie weisen eine Zwischenwicklungskapazität von nur 0,68 pF und Ausgangsspannungen von bis zu 30 V auf. Zu den Optionen gehören jetzt LLC‑, Halbbrücken- oder Flyback-Topologien sowie zudem die Option von ein oder zwei Ausgängen, welche entweder in unipolaren oder bipolaren Anwendungen eingesetzt werden können.
WE-AGDT entspricht den Sicherheitsstandards IEC62368-1/IEC61558-2-16 und ist AEC-Q200-qualifiziert. Die Transformatoren eignen sich für den Einsatz in industriellen Antrieben, AC-Motor-Umrichtern, HEV/EV-Ladestationen und anderen Ladegeräten, Solarwechselrichtern, Geräten zur unterbrechungsfreien Stromversorgung und zur Wirkleistungsfaktorkorrektur.
Wie alle Produkte der Electronic Components 2022/2023 sind die Module ab sofort in beliebiger Zahl ab Lager bestellbar, Entwickler erhalten kostenlose Muster.
Folgende Flyback-Topologie-Referenzdesigns stehen zur Verfügung:
RD001: 6 W Bipolar isolated auxiliary supply for SiC-MOSFET and IGBT gate driver (PDF)
RD002: 6 W Unipolar isolated auxiliary supply for SiC-MOSFET and IGBT gate driver (PDF)
Einzelheiten zur LLC-Topologie:
Bias Supply Design for Isolated Gate Driver Using UCC25800-Q1 Open-Loop LLC Transformer Driver
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