ASK LORANDT - EMV-ENTWICKLUNGSINGENIEUR AUS LEIDENSCHAFT

Weil anhand der Definitionen die zwei Angaben unabhängig sind. Der Nennstrom ist anhand der Temp. Erhöhung definiert, der Sättigungsstrom bezieht sich auf den Induktivitätsabfall. Es kommt bei eher kleinen Bauformen vor, dass der Kern früher gesättigt ist, als die Induktivität heiß wird, da wir immer einen kleinen RDC anstreben.

Da das den Multilayer-Lagenaufbau die Innenlagen beschädigt werden können und dies zu Unterbrechungen führen könnte. Als Abhilfe können die WE-MPSB Ferrite eingesetzt werden, die weltweit die ersten spezifizierten Pulsstrom Multilayer SMD Ferrite sind, die für solche Einsatzgebiete entwickelt sind.

Solange der Nennstrom durch beide Wicklungen, und somit stromkompensiert fließt, gleichen sich die Ströme aus, und es tritt keine Sättigung auf. Erst wenn nicht gewährleistet wird, dass der Hinstrom dem Rückstrom durch die Drossel entspricht, sprechen wir über eine Sättigung. Doch ein so hoher Gleichtaktstörstrom, der eine Gleichtaktdrossel in die Sättigung bringt, muss gewaltig groß sein.

Sobald ein Klappferrit auf eine Leitung, der mehrere Leitungen führt eingesetzt wird, erfüllt er die Funktion einer Gleichtaktdrossel. Jetzt muss darauf geachtet werden, welche der Leitungen diese Gleichtakt-Störung führen. In diesen Leitungen muss ein stromkompensierte Drossel auf der Leiterplatte eingesetzt werden. Sollten mehr als nur 2 Leitungen diese Störung führen, muss eine Gleichtaktdrossel mit entsprechend mehr Leitungen zum Einsatz kommen.

In meisten Fällen nicht, da die Entladung ein E-Feld ins Innere erzeugt, und somit die Ladung auf die Platine übertragen wird. Wir empfehlen an der Schnittstellen ESD-Suppressoren oder TVS-Dioden einzusetzen. Wenn ein geschirmtes Gehäuse eingesetzt wird, empfehlen wir mit leitenden Textildichtungen WE-LT die Zwischenräume (Deckel-Boden) abzudichten, um eine bessere Abschirmung zu erzeugen.