IC-Hersteller Alpha & Omega Semiconductor

IC-Hersteller (99)

Alpha & Omega Semiconductor AOZ96779 | Demoboard AOZ5473

VR13.HC Digital Multi-Phase Dual Channel Controller

Details

TopologieAbwärtswandler

Beschreibung

The AOZ96779 is a high performance dual output digital controller designed to power high current loads, like Intel’s VR13.HC processors. All required parameters are programmable through the PMBus™ interface. The device utilizes digital technology to implement all control and power management functions in order to provide maximum flexibility and performance. NVM is integrated and is used to store custom configurations. The AOZ96779 can support up to 8 phases and allows programmable phase assignment between the two loops. The AOZ96779 supports Power State transitions featuring Pulse Skipping, and programmable Dynamic Phase Management (DPM) maintaining the best efficiency over all loading conditions, without compromising transient response. The device assures fast and independent protection against load over current, under/over voltage and feedback disconnections. The device is available in QFN-40L 5x5mm.

Eigenschaften

  • N+M=8 phase compact digital controller
  • Programmable phase assignment between two loops;from 8+0 to 4+4, lower phase counts are alsosupported
  • Intel® VR13.HC compliant w/ 25MHz SVID bus rev1.8
  • PMBus™ rev 1.2 at 400kHz
  • High-performance digital control loop (Digital COT™)
  • Controller is fully configurable through PMBus™
  • AutoDPM - Automatic Dynamic Phase Management
  • Output voltage range: 0.5 to 2.5 V
  • Remote sense; 0.5% Vout accuracy
  • Current monitor signal
  • Programmable voltage positioning
  • Over Voltage, Under Voltage and Feedback disconnectionprotection
  • Embedded Non-Volatile Memory (NVM)
  • Black-Box recorder captures critical FAULT informationin NVM
  • 0c to 125c Operating Temperature Range
  • QFN 5x5mm package

Typische Anwendungen

  • ASIC and FPGA power \ High Current POL power
  • High-current power regulation for VR13.HC Intel® based microprocessors \ DDR Memory power regulation for VR13 Intel® based
  • Networking and Information Infrastructure

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieCTol. CVR
(V (DC))
BauformBetriebstemperaturQDF
(%)
RISOKeramiktypL
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
Fl
(mm)
VerpackungL
(µH)
LR
(µH)
IR
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
Material Muster
885012005009SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC)22 pF ±5% 10 0402 -55 °C up to +125 °C 84010 GΩ NP0 Klasse I 1 0.5 0.5 0.25 7" Tape & Reel
885012105018SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC)100 nF ±20% 25 0402 -55 °C up to +85 °C 105 GΩ X5R Klasse II 1 0.5 0.5 0.25 7" Tape & Reel
7443082018ASPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität 1088 -40 °C up to +125 °C 10.2 8.1 8.1 2.5 0.18 0.157 65 63.9 72.7 0.15 47 MnZn
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
885012005009SPEC
885012105018SPEC
7443082018ASPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieCTol. CVR
(V (DC))
BauformBetriebstemperaturQDF
(%)
RISOKeramiktypL
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
Fl
(mm)
VerpackungL
(µH)
LR
(µH)
IR
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
Material Muster