| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-38 V |
| Schaltfrequenz | 100-3000 kHz |
| Ausgang 1 | 2.5 V / 10 A |
| Ausgang 2 | 1 V / 20 A |
The LTC®7802 is a high performance dual step-down synchronous DC/DC switching regulator controller that drives all N-channel power MOSFET stages. Constant fre¬quency current mode architecture allows a phase-lockable switching frequency of up to 3MHz. The LTC7802 oper¬ates from a wide 4.5V to 40V input supply range. Power loss and supply noise are minimized by operating the two controller output stages out-of-phase. The very low no-load quiescent current extends oper¬ating runtime in battery powered systems. OPTI-LOOP compensation allows the transient response to be opti¬mized over a wide range of output capacitance and ESR values. The LTC7802 features a precision 0.8V reference and power good output indicators. The MODE pin selects among Burst Mode operation, pulse-skipping mode, or continuous inductor current mode at light loads.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(nH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | LR(nH) | IR(A) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 200 nH, 54.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität200 nH | Performance Nennstrom54.3 A | Sättigungsstrom 144 A | Sättigungsstrom @ 30%50.4 A | Gleichstromwiderstand0.37 mΩ | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MaterialMnZn | Nenninduktivität198 nH | Nennstrom25 A | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1000 nH, 16.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1000 nH | Performance Nennstrom16.8 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%19 A | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | MaterialSuperflux | Nenninduktivität780 nH | – |