IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (99)

Analog Devices LTC7890

Low IQ, Dual, 2-Phase Synchronous Step-Down Controller for GaN FETs

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung8-75 V
Schaltfrequenz100-3000 kHz
Ausgang 13.3 V / 12 A
Ausgang 25 V / 12 A

Beschreibung

The LTC7890 is a high performance, dual step-down, dc-to-dc switching regulator controller that drives all N-channel synchronous gallium nitride (GaN) field effect transistor (FET) power stages from input voltages up to 100 V. The LTC7890 solves many of the challenges traditionally faced when using GaN FETs. The LTC7890 simplifies the application design while requiring no protection diodes and no other additional external components compared to a silicon metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) solution.

Eigenschaften

  • GaN drive technology fully optimized for GaN FETs
  • Wide VIN range: 4 V to 100 V
  • Wide output voltage range: 0.8 V ≤ VOUT ≤ 60 V
  • No catch, clamp, or bootstrap diodes needed
  • Internal smart bootstrap switches prevent overcharging of highside driver supplies
  • Internally optimized, smart near zero dead times or resistor adjustable dead times
  • Split output gate drivers for adjustable turn on and turn off driver strengths
  • Accurate adjustable driver voltage and UVLO
  • Low IQ: 5 μA (48 VIN to 5 VOUT, Ch 1 On)
  • Programmable frequency (100 kHz to 3 MHz)
  • Synchronizable frequency (100 kHz to 3 MHz)
  • Spread spectrum frequency modulation
  • 40-lead (6 mm × 6 mm), side wettable, QFN package

Typische Anwendungen

  • Telecommunications power systems
  • medical systems
  • Industrial power systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
IRP,40K
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC max.
(mΩ)
MaterialLR
(µH)
fres
(MHz)
Muster
7443330100SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität 1 27.2 26.5 31.1 2.65 Ferrite 0.95 100
7443320150SPEC

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8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität 1.5 25.7 26.5 29.1 3.5 Ferrite 1.43 92
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
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