Topologie | Drahtlose Energieübertragung |
Eingangsspannung | 7-12 V |
Schaltfrequenz | 6780 kHz |
Ausgang 1 | 10 A |
The EPC9506 is a high efficiency, Zero Voltage Switching (ZVS),Class-D Wireless Power amplifier demonstration board operatingat 6.78 MHz (Lowest ISM band). The purpose of this demonstrationsystem is to simplify the evaluation process of wireless power technologyusing eGaN® FETs by including all the critical components on a singleboard that can be easily connected into an existing system.The amplifier board features the EPC2014 (40 V rated - EPC9506)enhancement mode field effect transistor (FET) in an optionalhalf-bridge topology (single ended configuration) or default fullbridgetopology (differential configuration), and includes thegate driver/s and oscillator that ensures operation of the systemat 6.78 MHz. The amplifer board can also be operated using anexternal oscillator.The amplifier board is equipped with a pre-regulator that limits the currentof the supply to the amplifier. As the amplifier draws more current, whichcan be due to the absence of a device coil, the pre-regulator will reducethe voltage being supplied to the amplifier that will ensure a safe operatingpoint. The pre-regulator also monitors the temperature of the mainamplifier FETs and will reduce current if the temperature exceeds 85°C.The pre-regulator can be bypassed to allow testing with custom controlhardware. The board further allows easy access to critical measurementnodes that allow accurate power measurement instrumentation hookup.A simplified diagram of the amplifier board is given in Figure 1.For more information on the EPC2014 eGaN FET please refer to the datasheetavailable from EPC at www.epc-co.com. The data-sheet should beread in conjunction with this quick start guide.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | Raster (mm) | Montageart | IR 1 (A) | Arbeitsspannung (V (AC)) | PCB/Kabel/Panel | Kontaktwiderstand (mΩ) | Tol. R | L (mm) | L (µH) | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | Pins (Value) (pcs) | Reihen | H (mm) | Gender | Typ | IR (A) | Verpackung | Muster | |
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61300311121 | SPEC | – | 6 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WR-PHD 2.54 mm THT Pin Header | 2.54 | THT | – | 250 | – | 20 | max. | 7.62 | – | – | – | – | – | – | – | 3 | Single | – | Pin Header | Gerade | 3 | Beutel | ||
645002114822 | SPEC | – | 6 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WR-WTB 3.96 mm Male Vertical Locking Header | 3.96 | THT | 7 | 250 | PCB | 20 | max. | 7.92 | – | – | – | – | – | – | – | 2 | – | – | Männlich | Vertikal | 7 | Beutel | ||
744314101 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | – | SMT | – | – | – | – | – | 7 | 10 | 5.3 | 1.8 | 4 | 33 | 40 | Superflux | 2 | – | 4.8 | – | – | – | – |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | |
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61300311121 | SPEC | – | |
645002114822 | SPEC | – | |
744314101 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. |
Muster |
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Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | Raster (mm) | Montageart | IR 1 (A) | Arbeitsspannung (V (AC)) | PCB/Kabel/Panel | Kontaktwiderstand (mΩ) | Tol. R | L (mm) | L (µH) | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | Pins (Value) (pcs) | Reihen | H (mm) | Gender | Typ | IR (A) | Verpackung | Muster |
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