IC-Hersteller EPC

IC-Hersteller (99)

EPC EPC2023 | Demoboard LMG5200POLEVM-10A

General TI High Voltage Evaluation User Safety Guidelines

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung36-75 V
Ausgang 10.5 V / 50 A
IC-RevisionD

Beschreibung

The LMG5200POLEVM-10 EVM is designed to evaluate the LMG5200 GaN power stage and the TPS53632G half-bridge point-of-load controller in a 48-V to 1-V applicationThis EVM implements the 48- V to 1-V converter as a single-stage hard-switched half-bridge with current-doubler rectifierThis topology efficiently supports a high step-down ratio while providing significant output current and fast transient responseThe TPS53632G controller uses a D-CAP+ hysteretic control architecture to achieve superior transient responseThe TPS53632G is a variant of the TPS53632 controller, modified to support the half-bridge topology used in this EVMThe LMG5200 is an 80-V, 10-A half-bridge power stage using gallium-nitride (GaN) transistorsGaN offers superior switching performance to traditional silicon MOSFETs due to its lack of reverse-recovery effect and reduced input and output capacitanceBy using a GaN module, this application achieves high efficiency while operating in a hard-switched configurationThis EVM guide describes correct operation and measurement of the EVM, as well as the EVM construction and typical performance

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
L
(nH)
LR
(nH)
IR
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
Material Muster
150060GS75000SPEC
25 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear 525 Grün 515 430 3.2 InGaN 140
744308025SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität 250 246 25 41.6 46.5 0.37 40 MnZn
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
150060GS75000SPEC
744308025SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
L
(nH)
LR
(nH)
IR
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
Material Muster