Topologie | Abwärtswandler |
Eingangsspannung | 48 V |
Schaltfrequenz | 350-580 kHz |
Ausgang 1 | 48 V / 5 A |
IC-Revision | 1.0 |
EPC9153: 44–60 V Input, 12-20 V, 12.5 A Output up to 250 W High Efficiency, Thin Power Module for high performance computing systems.The EPC9153 demonstration board is a 60 V maximum input voltage, 12.5 A maximum output current, 12 - 20 V output voltage, thin synchronous buck converter.The EPC9153 features a GaN power stage using the EPC2218 and EPC2038 eGaN® FETs. The uP1966E gate driver that features high driving strength is used to drive the FETs. The synchronous bootstrap circuit ensures 4.9 V gate voltage is used for the high-side gate drive. Digital control that allows sub-10 ns dead-time and flexibility in control scheme development is employed. In order to optimize the efficiency, two small on-board switch-mode power supply circuits are used to generate the housekeeping 5 V and 3.1 V voltages for the gate driver and the digital controller respectively.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (µH) | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | Muster | |
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744316033 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | 0.33 | 25.5 | 9.5 | 20 | 1.75 | 402 | Superflux |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | |
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744316033 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. |
Muster |
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