Topologie | LLC Resonanzwandler |
Eingangsspannung | 350-410 V |
Ausgang 1 | 58 V / 55 A |
IC-Revision | 1.0 |
This evaluation board shows how to design a dual-phase LLC system solution of a telecom rectifier with the target to meet 80+ Titanium Standard efficiency requirements. For this purpose the following technologies have been used:The latest 600V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET technology (IPW60R031CFD7) on the primary side and OptiMOS™ 5 150V low voltage power MOSFET in SuperSO8 (BSC093N15NS5) in the synchronous rectification secondary stage, in combination with quasi-resonant CoolSET™ (ICE2QR2280Z), high voltage gate driver EiceDRIVER™ 1EDI (1EDI60N12AF), high speed driver ICs for high voltage MOSFETs, low side gate driver EiceDRIVER™ 2EDN (2EDN7524R) for sychronous rectification MOSFETs and a digital LLC XMC™ microcontroller (XMC4400-F64K512 BA).
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (nH) | LR (nH) | IR (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | Muster | |
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744309047 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | 470 | 200 | 47.5 | 35.1 | 46.8 | 0.165 | 22 | MnZn |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | |
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744309047 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. |
Muster |
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Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (nH) | LR (nH) | IR (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | Muster |
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