Topologie | Abwärtswandler |
Eingangsspannung | 9-18 V |
Ausgang 1 | 4 A |
IC-Revision | 1.0 |
The MPQ18021A is a high-frequency, 100V, halfbridge,N-channel power MOSFET driver. Its lowside and high-side driver channels areindependently controlled and matched with a time delay of less than 5ns. Under-voltage lockout on both high-side and low-side supplies force theiroutputs low in case of insufficient supply. The integrated bootstrap diode reduces external component count.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (µH) | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | Muster | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
74435573300 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | 33 | 8.7 | 8 | 9 | 21.7 | 9.5 | MnZn |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | |
---|---|---|---|
74435573300 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. |
Muster |
---|
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (µH) | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | Muster |
---|