IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (99)

Onsemi NCP5212T

Single Synchronous Step-Down Controller

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung5-19 V
Schaltfrequenz270-330 kHz
Ausgang 13.3 V / 8 A
IC-Revision3

Beschreibung

The NCP5212A/NCP5212T is a synchronous stepdown controller for high performance systems battery−power systems. The NCP5212A/NCP5212T includes a high efficiency PWM controller. A pin is provided to allow two devices in interleaved operation. An internal power good voltage monitor tracks the SMPS output.

NCP5212A/NCP5212T also features soft−start sequence, UVLO for VCC and switcher, overvoltage protection, overcurrent protection,undervoltage protection and thermal shutdown. The IC is packaged in QFN16

Eigenschaften

  • 0.8% accuracy 0.8 V Reference
  • 4.5 V to 27 V Battery/Adaptor Voltage Range
  • Adjustable Output Voltage Range: 0.8 V to 3.3 V
  • Synchronization Interleaving between Two NCP5212A/NCP5212Ts
  • Skip Mode for Power Saving Operation at Light Load
  • Lossless Inductor Current Sensing
  • Programmable Transient−Response−Enhancement (TRE) Control
  • Programmable Adaptive Voltage Positioning (AVP)
  • Input Supply Feedforward Control
  • Internal Soft−Start
  • Integrated Output Discharge (Soft−Stop)
  • Build−in Adaptive Gate Drivers
  • PGOOD Indication
  • Overvoltage, Undervoltage and Overcurrent Protections
  • Thermal Shutdown
  • QFN16 Package
  • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Typische Anwendungen

  • Notebook Application
  • System Power

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
IRP,40K
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC max.
(mΩ)
MaterialLR
(µH)
fres
(MHz)
Muster
7443340330SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität 3.3 12.3 8.4 10.8 8.2 Ferrite 1.55 81
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
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(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC max.
(mΩ)
MaterialLR
(µH)
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