IC-Hersteller Richtek

IC-Hersteller (99)

Richtek RT7299B | Demoboard RT7299BHGQW

8A, 18V, Synchronous Step-Down Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-18 V
Schaltfrequenz200-1600 kHz
Ausgang 13.3 V / 8 A
IC-Revision00

Beschreibung

The RT7299BHGQW is a high efficiency, monolithic synchronous step-down DC/DC converter that can deliver up to 8A output current from a 4.5V to 18V input supply. The RT7299BHGQW current-mode architecture with external compensation allows the transient response to be optimized over a wide range of loads and output capacitors. Cycle-by-cycle current limit provides protection against shorted outputs and soft-start eliminates input current surge during startup. Fault condition protections include output under-voltage protection, output over-voltage protection, and over-temperature protection. The low current shutdown mode provides output disconnection, enabling easy power management in battery-powered systems.

Eigenschaften

  • Low RDS(ON) Power MOSFET Switches 26mΩ/19mΩ
  • Input Voltage Range : 4.5V to 18V
  • Adjustable Switching Frequency : 200kHz to 1.6MHz
  • Current-Mode Control
  • Synchronous to External Clock : 200kHz to 1.6MHz
  • Accurate Voltage Reference 0.6V±1%
  • Monotonic Start-Up into Pre-biased Outputs
  • Adjustable Soft-Start
  • Power Good Indicator
  • Input Under-Voltage Lockout
  • Selectable Hiccup Mode and Latch-Off Mode Under-Voltage Protection
  • Over-Temperature and Over-Voltage Protection

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
IRP,40K
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
Material Muster
7443551370SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität 3.7 18.3 7 16 4.9 26 WE-PERM
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Muster
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(µH)
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(A)
ISAT1
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ISAT,30%
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