IC-Hersteller Richtek

IC-Hersteller (99)

Richtek RT8072

5A, 2MHz, High Efficiency Synchronous Step-Down Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung2.9-5.5 V
Schaltfrequenz300-2000 kHz
Ausgang 12.5 V / 5 A
Ausgang 21.8 V / 5 A
Ausgang 33.3 V / 5 A

Beschreibung

The RT8072 is a high efficiency PWM step-down converterand capable of delivering 5A output current over a wideinput voltage range from 2.9V to 5.5V.The RT8072 provides accurate regulation for a variety ofloads with an ±1% reference voltage at room temperature.For reducing inductor size, it provides up to 2MHzswitching frequency. The efficiency is maximized throughthe integrated 50mΩ for high side, 35mΩ for low sideMOSFETs and 250μA typical supply current.The RT8072 features over current protection, frequencyfold back function in shorted circuit, hiccup mode undervoltage protection and over temperature protection.The RT8072 is available in SOP-8 (Exposed Pad) andWDFN-12L 3x3 packages.

Eigenschaften

  • Integrated 50mΩ and 35mΩ MOSFETs
  • 5A Output Current
  • High Efficiency Up to 95%
  • 2.9V to 5.5V Input Range
  • Adjustable PWM Frequency : 300kHz to 2MHz
  • 0.8V ±1% Reference Voltage
  • Adjustable External Soft-Start
  • Power Good Indicator (WDFN-12L 3x3 Only)
  • Over Current Protection
  • Under Voltage Protection
  • Over Temperature Protection
  • SOP-8 (Exposed Pad) and 12-Lead WDFN Packages
  • RoHS Compliant and Halogen Free

Typische Anwendungen

  • Distributed Power Systems
  • Low Voltage, High Density Power Systems
  • Point-of-Load Conversions

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
IRP,40K
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
Material Muster
744355147SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität 0.47 54.9 25 50 0.67 100 WE-PERM
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
744355147SPEC

Anstehende PCN

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Muster
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(µH)
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(A)
ISAT1
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ISAT,30%
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RDC
(mΩ)
fres
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