Topologie | Aufwärtswandler |
Eingangsspannung | 2.7-12 V |
Schaltfrequenz | 200-2200 kHz |
Ausgang 1 | 12.6 V |
IC-Revision | 1.1 |
The SCT1270 is a high efficiency synchronous boost converter with fully integrated a 17mΩ high-side MOSFET and a 14mΩ low-side MOSFET, featuring 2.7V to 12V input voltage range to support single cell or two cell Lithium ion/polymer batteries and up to 9.5A peak switch current. The switch current limit can be adjustable with an external resistor. The SCT1270 has 7A continuous switch current capability and provides output voltage up to 12.6V. The SCT1270 adopts constant off-time peak current control to provide fast transient response. An external compensation network allows flexibility setting loop dynamics to achieve optimal transient performance at different load conditions.The SCT1270 works in the PWM at moderate and heavy load condition. The SCT1270 offers PFM mode at light load condition. The switching frequency is adjustable from 200KHz to 2.2MHz.The SCT1270 features output overvoltage protection and thermal shutdown protection when the device overloads.The device is available in a QFN-11 2mm x 2.5mm package.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (µH) | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | Muster | |
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744311150 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | 1.5 | 13.8 | 4.5 | 14 | 6.6 | 72 | Superflux | |||
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744311220 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | 2.2 | 10.2 | 5.6 | 13 | 11.4 | 52 | Superflux | |||
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Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | |
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Muster |
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Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (µH) | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | Muster |
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