| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.9-18 V |
| Schaltfrequenz | 250-1000 kHz |
| IC-Revision | 5 |
The L5986 is a step-down switching regulator with a 3.0 A (min.) current limited embedded Power MOSFET, so it is able to deliver up to 2.5 Acurrent to the load depending on the application conditions.
The input voltage can range from 2.9 V to 18 V, while the output voltage can be set starting from 0.6 V to VIN. Having a minimum input voltage of2.9 V, the device is suitable also for a 3.3 V bus.
Requiring a minimum set of external components,the device includes an internal 250 kHz switching frequency oscillator that can be externallyadjusted up to 1 MHz.
The QFN and the HSOP packages with an exposed pad allow reducing the RthJA down to 60 °C/W and 40 °C/W respectively.
Remarks
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Version | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 9.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Sättigungsstrom9.5 A | Gleichstromwiderstand8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz53 MHz | Bauform1050 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Sättigungsstrom9 A | Gleichstromwiderstand10.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz42 MHz | Bauform1050 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Sättigungsstrom8 A | Gleichstromwiderstand12.4 mΩ | Eigenresonanzfrequenz34 MHz | Bauform1050 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 4.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität8.2 µH | Sättigungsstrom4.7 A | Gleichstromwiderstand49 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | Bauform1030 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 4.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Sättigungsstrom4.1 A | Gleichstromwiderstand62 mΩ | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | Bauform1030 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 3.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Sättigungsstrom3.4 A | Gleichstromwiderstand89 mΩ | Eigenresonanzfrequenz19.5 MHz | Bauform1030 | VersionPerformance |