Topologie | Aufwärtswandler |
Eingangsspannung | 9-20 V |
Schaltfrequenz | 400-975 kHz |
Ausgang 1 | 24 V / 4.5 A |
Ausgang 2 | 28 V / 7 A |
IC-Revision | G |
The LM5122 is a multiphase capable synchronous boost controller intended for high-efficiency synchronous boost regulator applications. The controlmethod is based upon peak current mode control. Current mode control provides inherent line feed-forward, cycle-by-cycle current limiting and ease of loop compensation.
The switching frequency is programmable up to 1MHz. Higher efficiency is achieved by two robust Nchannel MOSFET gate drivers with adaptive dead-time control. A user-selectable diode emulation mode also enables discontinuous mode operation for improved efficiency at light load conditions.
An internal charge pump allows 100% duty cycle for high-side synchronous switch (Bypass operation). A 180º phase shifted clock output enables easy multi-phase interleaved configuration. Additional features include thermal shutdown, frequency synchronization, hiccup mode current limit and adjustable line undervoltage lockout.
Remarks:1)fSW2 Switching frequency 2 is choosed due to max value
2)From Figure 38. Non-Isolated Synchronous Flyback Converter Simplified SchematicOnly I/O is given, but it's a coupled inductor(transformer)
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | C | Tol. C | VR (V (DC)) | Bauform | Betriebstemperatur | DF (%) | RISO | Keramiktyp | L (mm) | W (mm) | H (mm) | Fl (mm) | Verpackung | L (µH) | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | Muster | |
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885012207025 | SPEC | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC) | 4.7 µF | ±10% | 10 | 0805 | -55 °C up to +125 °C | 10 | 0.02 GΩ | X7R Klasse II | 2 | 1.25 | 1.25 | 0.5 | 7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | |||
74435561100 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | – | – | – | 1890 | -40 °C up to +150 °C | – | – | – | 18.3 | 18.2 | 8.9 | – | – | 10 | 16.5 | 10 | 21.5 | 6.9 | 14 | WE-PERM 2 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | |
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885012207025 | SPEC | ||
74435561100 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. |
Muster |
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Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | C | Tol. C | VR (V (DC)) | Bauform | Betriebstemperatur | DF (%) | RISO | Keramiktyp | L (mm) | W (mm) | H (mm) | Fl (mm) | Verpackung | L (µH) | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | Muster |
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