| Topologie | Abwärts- und Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 100 V |
| Schaltfrequenz | 100-15000 kHz |
| Ausgang 1 | 10 A |
The LMG1210EVM-012 is designed to evaluate the LMG1210 Megahertz 200V half-bridge driver for GaN FETs. This EVM consists on two Gallium Nitride FETs configured in a half-bridge, driven by a single LMG1210. No controller is present on the board.
| Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | C | Tol. C | VR (V (DC)) | Bauform | Betriebstemperatur | DF (%) | RISO | Keramiktyp | L (mm) | W (mm) | H (mm) | Fl (mm) | Verpackung | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 885012208069 | SPEC | 9 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC) | 10 µF | ±10% | 25 | 1206 | -55 °C up to +125 °C | 10 | 0.01 GΩ | X7R Klasse II | 3.2 | 1.6 | 1.6 | 0.5 | 7" Tape & Reel |
| Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation |
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| 885012208069 | SPEC |
| Muster |
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| Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | C | Tol. C | VR (V (DC)) | Bauform | Betriebstemperatur | DF (%) | RISO | Keramiktyp | L (mm) | W (mm) | H (mm) | Fl (mm) | Verpackung | Muster |
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