Topologie | Abwärtswandler |
Eingangsspannung | 5-12 V |
Schaltfrequenz | 300-2000 kHz |
Ausgang 1 | 0.9 V / 80 A |
Comparing internally-compensated advanced current mode (ACM) with D-CAP3 control.The TPS543C20 employs an internally compensated emulated peak-current-mode control, with a clock synchronizable, fixed-frequency modulator for EMI-sensitive POL. The internal integrator and directly amplifying ramp tracking loop eliminate the need for external compensation over a wide range of frequencies thereby making the system design flexible, dense, and simple. Optional API and body braking help improve transient performance by significantly reducing undershoot and overshoot, respectively. Integrated NexFET™ MOSFETs with low-loss switching facilitate high efficiency and deliver up to 40 A in a 5-mm × 7-mm PowerStack™ package with a layout friendly thermal pad. Two TPS543C20 devices can be stacked together to provide up to 80-A point-of-load.
Internally-Compensated Advanced Current Mode Control 40-A POLInput Voltage Range: 4 V to 16 VOutput Voltage Range: 0.6 V to 5.5 VIntegrated 3/0.9-mΩ Stacked NexFET™ Power Stage With Lossless Low-Side Current SensingFixed Frequency - Synchronization to an External Clock and/or Sync OutPin Strapping Programmable Switching Frequency 300 kHz to 2 MHz for Standalone300 kHz to 1 Mhz for Stackable
Stack 2X for up to 80 A With Current Share, Voltage Share, and CLK SyncPin Strapping Programmable Reference from 0.6 V to 1.1 V With 0.5% AccuracyDifferential Remote SensingSafe Start-Up into Pre-Biased OutputHigh-Accuracy Hiccup Current LimitAsynchronous Pulse Injection (API) and Body Braking40-pin, 5-mm × 7-mm LQFN Package with 0.5-mm Pitch and Single Thermal Pad
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (nH) | LR (nH) | IR (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | Muster | |
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744309025 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | 250 | 245 | 47.5 | 75.6 | 88.5 | 0.165 | 37 | MnZn |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | |
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744309025 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. |
Muster |
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Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (nH) | LR (nH) | IR (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | Muster |
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