Topologie | Abwärtswandler |
Eingangsspannung | 4.5-18 V |
Schaltfrequenz | 580-600 kHz |
Ausgang 1 | 2.5 V / 1 A |
The TPS65295 device provides a complete power solution for DDR4 memory system with the lowest total cost and minimum space. It meets the JEDEC standard for DDR4 power-up and power-down sequence requirement. The TPS65295 integrates two synchronous buck converters (VPP and VDDQ) and a 1-A sink and source tracking LDO (VTT) and a buffered low noise reference (VTTREF). The TPS65295 employs D-CAP3™ mode coupled with 600-kHz switching frequency for ease-of-use, fast transient, and support for ceramic output capacitors without an external compensation circuit.The VTTREF tracks ½ VDDQ within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides both 1-A sink and source continual current capabilities, requires only 10-µF of ceramic output capacitor.The TPS65295 provides rich functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT, and VTTREF in S4/S5 state. OVP, UVP, OCP, UVLO and thermal shutdown protections are also available. The part is available in a thermally enhanced 18-pin HotRod™ VQFN package and is designed to operate under the –40°C to 125°C junction temperature range.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (µH) | IR (A) | ISAT (A) | RDC max. (mΩ) | Material | fres (MHz) | Version | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | Muster | |
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744311068 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | 0.68 | – | – | 3.41 | Superflux | 105 | SMT | 20.9 | 9.5 | 20 | 3.1 | |||
74408943047 | SPEC | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-SPC SMT-Speicherdrossel | 4.7 | 2.2 | 3.2 | 52 | – | 44 | SMT | – | – | – | – |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | |
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744311068 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | ||
74408943047 | SPEC |
Muster |
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Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (µH) | IR (A) | ISAT (A) | RDC max. (mΩ) | Material | fres (MHz) | Version | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | Muster |
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