Toshiba TPN1200APL/TPH3R70APL | Demoboard RD024-RGUIDE-01 | IC-Referenzdesignsuche von Würth Elektronik

IC-Referenzdesignsuche

ReferenzdesignTPN1200APL/TPH3R70APL | Demoboard RD024-RGUIDE-01

Details

Topologie	Gegentaktwandler (Vollbrücken)
Eingangsspannung	36-75 V
Ausgang 1	12.6 V / 25 A
IC-Revision	1

Beschreibung

Input voltage : DC 36 to 75VOutput voltage : DC 12VOutput power : 300WCircuit topology : Phase Shift Full Bridge + Synchronous Rectification

Eigenschaften

Total efficiency : 94.5%(Vin=48V, 100% load)
Outline size : 82mm x 82mm x 24mm
Provides appropriate power MOSFETs and photocouplers totally.

Typische Anwendungen

Industrial systems powered by 48V batteries
Telecommunication equipment

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

	Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation	Downloads	Status	Produktserie	L (µH)	I_RP,40K (A)	I_SAT1 (A)	I_SAT,30% (A)	R_DC (mΩ)	f_res (MHz)	Material	Muster
	74435580330	SPEC		8 Dateien EDA-Modelle: Bauteile ZIP ALT WE-HCI (rev22c).IntLib \| 1.2 MB ZUK Download_CadStar_WE-HCI (rev19a).zip \| 15.7 KB CDS Cadence_WE-HCI (rev25a).zip \| 11.8 MB EAG Eagle_WE-HCI (rev19a).lbr \| 126.2 KB CAD-Dateien ZIP IGS WE-HCI_2212_7443558 (rev1).igs \| 1.9 MB STP WE-HCI_2212_7443558 (rev1).stp \| 555.6 KB Elektrische Modelle ZIP PSP PSpice_WE-HCI (rev22a).zip \| 22.1 KB SCS Spectre_WE-HCI (rev24a).mod \| 26.8 KB Alle 8 Dateien als ZIP herunterladen ZIP	Aktiv i\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität	3.3	33.2	27.5	45	1.7	26.5	MnZn

	Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation
	74435580330	SPEC

Muster

	Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation	Downloads	Status	Produktserie	L (µH)	I_RP,40K (A)	I_SAT1 (A)	I_SAT,30% (A)	R_DC (mΩ)	f_res (MHz)	Material	Muster

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