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IC-Hersteller Toshiba

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ReferenzdesignTPN4R303NL/TPN2R903PL | Demoboard RD-205

Toshiba TPN4R303NL/TPN2R903PL | Demoboard RD-205

Non-Isolated Buck DC-DC Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung11.4-12.6 V
Schaltfrequenz197.9-596.8 kHz
Ausgang 13.3 V / 13.3 A
Ausgang 25 V / 12 A
Ausgang 33.3 V / 10 A
IC-Revision11

Beschreibung

This reference guide describes the specifications, use, and various properties of the Non-Isolated Buck DC-DC Converter (hereafter referred to as this power supply). This reference design consists of 24 types of DC-DC converter designs in total. All take DC12 V as inputs and generate 8 different outputs which are DC 5 V/5 A, DC 5 V/8 A, DC 5 V/12 A, DC 3.3 V/10 A, DC 3.3 V/13.3 A, DC 3.3V/18.2 A, DC 1.5 V/10 A, DC 1.05 V/10 A, and each one further optimized in 3 ways, i.e. for: 50 % load efficiency, 100 % load efficiency, and area. Since small components are selected, they can be applied to Point of Load power supplies of various sizes and applications. Our power MOSFETs are used as switching elements, which allows high-speed switching and high-efficiency.

Eigenschaften

  • Non-Isolated Buck DC-DC Converter with synchronous rectification
  • 8 power supply circuit designs with different output voltage and output power
  • Each power supply circuit design has 3 variations

Typische Anwendungen

  • High-Efficiency DC-DC Converters, Switching Voltage Regulators

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
RDC max.(mΩ)
LR(µH)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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7443340068
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 22.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom22.5 A
Sättigungsstrom 121.2 A
Sättigungsstrom @ 30%23 A
–
Eigenresonanzfrequenz181 MHz
MaterialFerrite 
Verpackungseinheit500 
Gleichstromwiderstand3.1 mΩ
Nenninduktivität0.64 µH
–Verfügbarkeit prüfen
744311100
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 16.8 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom16.8 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%19 A
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Nenninduktivität0.78 µH
–Verfügbarkeit prüfen
7443340100
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 18.8 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom18.8 A
Sättigungsstrom 122.9 A
Sättigungsstrom @ 30%25.1 A
–
Eigenresonanzfrequenz147 MHz
MaterialFerrite 
Verpackungseinheit500 
Gleichstromwiderstand3.9 mΩ
Nenninduktivität0.97 µH
–Verfügbarkeit prüfen