IC-Hersteller (99)
- Alle Hersteller
Analog Devices
Infineon Technologies
Microchip
Onsemi
Renesas
ROHM
STMicroelectronics
Texas Instruments
- 3peak incorporated (27)
- Ablic (23)
- Advanced Power (4)
- Allegro Microsystems (84)
- Alpha & Omega Semiconductor (37)
- AnalogySemi (3)
- AnDAPT Inc (172)
- Anpec (13)
- AXElite (2)
- Backward (6)
- Bright Power Semiconductor (1)
- Broadcom (47)
- Cambridge GaN Devices (18)
- Chipanalog Micro (10)
- Cologne Chips (1)
- Convenient Power (1)
- Dialog Semiconductor (12)
- Diodes Incorporated (238)
- Divimath (8)
- Elmos AG (1)
- EPC (99)
- e-Peas Semiconductors (1)
- Eta Solutions Co. Ltd. (9)
- GaN Systems (7)
- GaNPower (3)
- Giantec (1)
- Gstek Wuxi (1)
- Helix Semiconductor (7)
- Ikanos (3)
- IKON (1)
- Indie Semiconductor (5)
- Innovision Semiconductor Inc (2)
- Intel (80)
- Inventchip Technology (3)
- ISSI (51)
- JoulWatt (20)
- KDPOF (2)
- Kinetic Technology (10)
- Lattice semiconductor Corporation (19)
- Littelfuse (1)
- M3 Technology (M3Tek) (7)
- Macnica (16)
- MaxLinear (175)
- MikroE (8)
- MindCet (2)
- Monolithic Power Systems (929)
- Navitas Semiconductor Inc (6)
- NewEdge Technologies, Inc. (1)
- Nexperia (32)
- Nisshinbo Micro Device Inc. (10)
- Nordic Semiconductor (1)
- Novosense Micro (1)
- NXP (314)
- O2 Micro International Ltd (10)
- On Bright (7)
- Panasonic (2)
- PN Junction Semiconductor (2)
- Power Integrations (110)
- Pulsiv (19)
- Qorvo (87)
- Realsil SuRealsil(tek) Microelectronics (1)
- Richtek (296)
- Sanken Electric Co., Ltd. (16)
- Sckipio (6)
- Semtech (90)
- SG-Micro (33)
- Silanna Semiconductor (8)
- Silergy Corporation (30)
- Silicon Laboratory Inc. (104)
- Silicontent Technology (57)
- Silvertel (56)
- Skycore Semiconductors (1)
- Skyworks (31)
- Southchip (8)
- Summit Wireless (1)
- Tagore Tech (7)
- Taiwan Semiconductor (1)
- TDK Corporation (1)
- Tempo Semiconductor (1)
- Torex (37)
- Toshiba (25)
- Transphorm (21)
- TransSIP (2)
- Union (21)
- uPI Semiconductor (2)
- Valens Semiconductor (18)
- Wise Integration (1)
- Wolfspeed (8)
- Xilinx (22)
- XL Semiconductor (3)
- XYSemi (62)
Details
| Topologie | Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.8-36 V |
| Ausgang 1 | 36 V |
| IC-Revision | 0.2 |
Beschreibung
XR4981A is a high efficiency synchronous boost controller that converts from 2.8V~36V input range and up to 36Voutput voltage with two outside N-channel MOSFETs for the synchronous switches.The XR4981A includes adjustable current limit, adjustable soft-start, adjustable compensation net and thermal shutdown preventing damage in the event of an output overload.For different application we can select suitable compensation net、current limit soft start and select suitable MOSFET toobtain a high efficiency
Eigenschaften
- 2.8V~36V input voltage range
- Adjustable output voltage from 5V to 36V
- 1.21V VFB reference voltage
- Adjustable current limit
- Adjustable soft-start
- Adjustable compensation net
- Input under voltage lockout
- 400KHz fixed switching frequency
- Thermal shutdown
- QFN3x3-16 Package Rohs Compliant and Halogen Free
Typische Anwendungen
- 5V/9V/12V BUS Power Supply / Power Amplify Device
- Type C USB Device
- Power Bank
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
| Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (µH) | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | RDC max. (mΩ) | LR (µH) | RDC typ. (mΩ) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 744311220 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | 2.2 | 10.2 | 5.6 | 13 | 11.4 | 52 | Superflux | 12.54 | 1.75 | – | SMT | ||
 | 7443330220 | SPEC | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | 2.2 | 17.4 | 22.5 | 25.6 | – | 80 | Ferrite | 4.8 | 2.1 | 4.6 | SMT | ||
 | 74439358022 | SPEC | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-XHMI SMT Speicherdrossel | 2.2 | 21.85 | 12.55 | 26.45 | 3.7 | 33 | – | 4.07 | – | 3.7 | SMT | ||
 | 74437349022 | SPEC | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-LHMI SMT Speicherdrossel | 2.2 | 9.9 | 10.5 | 19.1 | – | 30 | – | 12 | – | 11.2 | SMT | ||
| 74437368022 | SPEC | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-LHMI SMT Speicherdrossel | 2.2 | 14.3 | 18.1 | 38.7 | – | 27 | – | 7 | – | 6.5 | SMT |
| Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | |
|---|---|---|---|
| 744311220 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | |
| 7443330220 | SPEC | |
| 74439358022 | SPEC | |
| 74437349022 | SPEC | |
| 74437368022 | SPEC |
| Muster |
|---|
| Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (µH) | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | RDC max. (mΩ) | LR (µH) | RDC typ. (mΩ) | Montageart | Muster |
|---|