In Zusammenarbeit mit dem IFE der TU Graz bietet WE nun ein Diodenmodell für alle ESD-Schutzbauelemente an, das auf realen Messdaten mit TLP (Transmission Line Pulsing) basiert, um das tatsächliche Verhalten der Bauelemente unter ESD-Bedingungen zu erfassen. Herkömmliche Modelle verwenden oft vereinfachte Näherungswerte, wie in der gestrichelten Linie dargestellt, während dieses Modell die tatsächlichen transienten Eigenschaften wie Snapback-Verzögerung und Leitfähigkeit widerspiegelt. Unser Modell kann nun auch das Snapback-Verhalten simulieren.

Wesentliche Vorteile:

• Simulation des tatsächlichen transienten Verhaltens, um Designs unter realistischen Bedingungen zu testen und einen robusten ESD-Schutz zu gewährleisten.
• Fertige Simulationsdateien vereinfachen die Integration in SPICE-basierte Analysen, beschleunigen Designzyklen und die Markteinführung.
• Zuverlässige Simulationen reduzieren den Testaufwand, die Entwicklungszyklen und das Risiko von Produktrückrufen aufgrund von ESD-Schwachstellen, während sie gleichzeitig Einblicke in das Bauteilverhalten liefern, um Designoptimierungen zu ermöglichen und eine konsistente ESD-Beständigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, von Unterhaltungselektronik bis hin zu Industriegeräten, sicherzustellen.