IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (99)

Analog Devices LT8672HMS | Demoboard DBB Board

Active Rectifier Controller with Reverse Protection

Details

TopologieSonstige Topologie
Schaltfrequenz50-100 kHz
IC-Revision1.0

Beschreibung

The LT®8672 is an active rectifier controller for reverse input protection. It drives an external N-channel MOSFET to replace a power Schottky diode. Its very low quiescent current and fast transient response meet the tough requirements in automotive applications where AC input signals of up to 100kHz are present. These signals are rectified with minimum power dissipation on the external FET, simplifying thermal management on the PCB. With a drop of only 20mV, the LT8672 solution eases the minimum input voltage requirement during cold crank and start-stop, allowing simpler and more efficient circuits. If the input power source fails or is shorted, a fast turn-off minimizes reverse current transients. An available shutdown mode reduces the quiescent current to 3.5μA. An integrated auxiliary boost regulator provides the required boost voltage to turn the external FET fully on. A power good pin signals when the external FET is ready to take load current.

Eigenschaften

  • AEC-Q100 Qualified for Automotive Applications
  • Reverse Input Protection to –40V
  • Improved Performance Compared to a Schottky Diode
  • Reduce Power Dissipation by >90%
  • Reduce Drop to 20mV n Ultrafast Transient Response
  • Rectifies 6VP-P Up to 50kHz n Rectifies 2VP-P Up to 100kHz - Wide Operating Voltage Range: 3V to 42V
  • Low 20µA Quiescent Current in Operation
  • Low 3.5µA Shutdown Current n Accurate 1.21V Enable Pin Threshold n Small 10-Lead MSOP Package, 10-Lead 3mm × 2mm DFN Package and 3mm × 2mm Side-Wettable DFN Package

Typische Anwendungen

  • Automotive Battery Protection
  • Portable Instrumentation
  • Industrial Supplies

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
L
(µH)
IRP,40K
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC typ.
(mΩ)
fres
(MHz)
VOP
(V)
MontageartISAT
(A)
Z @ 100 MHz
(Ω)
Zmax
(Ω)
Testbedingung ZmaxIR 2
(mA)
RDC max.
(Ω)
TypIR
(mA)
Z @ 1 GHz
(Ω)
H
(mm)
Muster
150060GS75000SPEC
25 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear 525 Grün 515 430 3.2 InGaN 140 SMT 0.7
150060YS75000SPEC
25 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear 590 Gelb 595 120 2 AlInGaP 140 SMT 0.7
74279268SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CBF SMT-Ferrit SMT 15 60 1000 MHz 1900 0.1 High Speed 500 56 0.8
742792040SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CBF SMT-Ferrit SMT 600 700 150 MHz 2000 0.15 High Current 1500 193 0.0009
742792118SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CBF SMT-Ferrit SMT 600 650 80 MHz 2500 0.07 High Current 1500 79 1.1
74279221100SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead 1 SMT 10 41 2178 MHz 10500 0.003 High Current 10500 28 1.1
74279223560SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead 2.5 SMT 56 90 1000 MHz 10000 0.004 High Current 10000 90 2.28
744028002SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-TPC SMT-Speicherdrossel 2.2 125 100 SMT 1 0.155 1300 1.1
744383360033SPEC
10 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MAPI SMT-Speicherdrossel 0.33 8.7 10.5 14 140 80 SMT 8.3 0.017 5500 2
742792117SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CBF SMT-Ferrit 48 90 600 MHz 6000 0.005 High Current 4000 1.1
Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
L
(µH)
IRP,40K
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC typ.
(mΩ)
fres
(MHz)
VOP
(V)
MontageartISAT
(A)
Z @ 100 MHz
(Ω)
Zmax
(Ω)
Testbedingung ZmaxIR 2
(mA)
RDC max.
(Ω)
TypIR
(mA)
Z @ 1 GHz
(Ω)
H
(mm)
Muster