IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LTC3129

15V, 200mA Synchronous Buck-Boost DC/DC Converter with 1.3μA Quiescent Current

Details

TopologieAbwärts- und Aufwärtswandler
Eingangsspannung2.42-15 V
Schaltfrequenz1000-1400 kHz
Ausgang 115.75 V / 0.2 A
IC-RevisionC

Beschreibung

The LTC®3129 is a high efficiency, 200mA buck-boost DC/DC converter with a wide VIN and VOUT range. It includes an accurate RUN pin threshold to allow predictable regulator turn-on and a maximum power point control (MPPC) capability that ensures maximum power extraction from non-ideal power sources such as photovoltaic panels.The LTC3129 employs an ultralow noise, 1.2MHz PWM switching architecture that minimizes solution footprint by allowing the use of tiny, low profile inductors and ceramic capacitors. Built-in loop compensation and soft-startsimplify the design. For high efficiency operation at light loads, automatic Burst Mode operation can be selected, reducing the quiescent current to just 1.3μA.Additional features include a power good output, less than 10nA of shutdown current and thermal shutdown.The LTC3129 is available in thermally enhanced 3mm × 3mm QFN and 16-lead MSOP packages. For fixed output voltage options, see the functionally equivalent LTC3129-1, which eliminates the need for an external feedback divider

Eigenschaften

  • Regulates VOUT Above, Below or Equal to VIN
  • Wide VIN Range: 2.42V to 15V, 1.92V to 15V After Start-Up (Bootstrapped)
  • Wide VOUT Range: 1.4V to 15.75V
  • 200mA Output Current in Buck Mode
  • Single Inductor
  • 1.3μA Quiescent Current
  • Programmable Maximum Power Point Control
  • 1.2MHz Ultralow Noise PWM
  • Current Mode Control
  • Pin Selectable Burst Mode® Operation
  • Up to 95% Efficiency
  • Accurate RUN Pin Threshold
  • Power Good Indicator
  • 10nA Shutdown Current
  • Thermally Enhanced 3mm × 3mm QFN and 16-Lead MSOP Packages

Table 2. Recommended Inductor Values page 18.

VIN and VOUT Both < 4.5V3.3μH to 4.7μHVIN and VOUT Both < 8V4.7μH to 6.8μHVIN and VOUT Both < 11V6.8μH to 8.2μHVIN and VOUT Up to 15.75V8.2μH to 10μH

Typische Anwendungen

  • Industrial Wireless Sensor Nodes
  • Intrinsically Safe Power Supplies
  • Post-Regulator for Harvested Energy
  • Wireless Microphones
  • Avionics-Grade Wireless Headsets
  • Solar Panel Post-Regulator/Charger

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom1.25 A
Sättigungsstrom0.95 A
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom1.5 A
Sättigungsstrom1.8 A
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1 A
Sättigungsstrom0.8 A
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.35 A
Sättigungsstrom1.7 A
Eigenresonanzfrequenz84 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.2 A
Sättigungsstrom0.9 A
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 0.82 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom0.82 A
Sättigungsstrom0.65 A
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom1.3 A
Eigenresonanzfrequenz59 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 0.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom0.85 A
Sättigungsstrom0.75 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.65 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom0.65 A
Sättigungsstrom0.5 A
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1 A
Sättigungsstrom1.1 A
Eigenresonanzfrequenz41 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.74 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom0.74 A
Sättigungsstrom0.56 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT