IC-Hersteller Cambridge GaN Devices

IC-Hersteller (99)

Cambridge GaN Devices UCC256402DDBR

A Half Bridge LLC Evaluation Board With a Number of Configuration Options Allowing Easy Tuning to Your Own Performance Needs

Details

TopologieSonstige Topologie
Eingangsspannung330-420 V
Ausgang 120 V
IC-Revision1

Beschreibung

A modular High efficiency LLC DC/DC Evaluation platform that allows you to realise the performance benefits of ICeGaN™ in an LLC topology and easily change differing circuit elements to tune circuit performance.

Eigenschaften

  • 2 x 650 V CGD Devices
  • ICeGaN™ Gate with 9-20 V Drive
  • UCC256402 LLC controller
  • SRK2001 Synchronous Rectifier Controller on Output with 2x80 V MOSFETs
  • Example resonant tank design (Series Inductor + Transformer + Resonant Capacitor)

Typische Anwendungen

  • SMPS applications

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Downloads Status ProduktseriePins (Value)
(pcs)
ReihenGenderTypIR
(A)
Verpackung Muster
61000421821SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD 2.54 mm SMT Dual Socket Header 4 Dual Socket Header Gerade 3 Tube
61300421021SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD 2.54 mm THT Angled Dual Pin Header 4 Dual Pin Header Angled 3 Beutel
61000621821SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD 2.54 mm SMT Dual Socket Header 6 Dual Socket Header Gerade 3 Tube
61001021821SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD 2.54 mm SMT Dual Socket Header 10 Dual Socket Header Gerade 3 Tube
61301021021SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD 2.54 mm THT Angled Dual Pin Header 10 Dual Pin Header Angled 3 Beutel
Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Downloads Status ProduktseriePins (Value)
(pcs)
ReihenGenderTypIR
(A)
Verpackung Muster