IC-Hersteller Nisshinbo Micro Device Inc.

IC-Hersteller (99)

Nisshinbo Micro Device Inc. RP402

High Efficiency Small Packaged Step-up DC/DC Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung-0.3-6.5 V
Schaltfrequenz1080-1320 kHz
Ausgang 13.3 V / 1 A
IC-Revision200604

Beschreibung

The RP402 Series are min. 0.6V input, CMOS-based PWM/VFM step-up DC/DC converters with synchronous rectifier. The RP402 have three switching control types, or PWM control, forced PWM control, and PWM/VFM auto change control. The RP402 includes a soft start circuit, a bypass switch, shutdown switch, an anti-ringing switch. By simply using with an inductor, a capacitor, and resistors (for output voltage adjustable type) as external components, a high-efficiency step-up DC/DC converter can be realized. The output voltage can be selected from the internally fixed type or externally adjustment is possible. In addition to SOT-23-5 package, a 2.0mm square DFN(PLP)2020-8 package is available. The RP402 are ideal for the applications powered by one-cell or two-cell alkaline, nickel-metal-hydride (NiMH) or one-cell Lithium-ion (Li+) batteries.

Eigenschaften

  • Low Voltage Start-up: Typ. 0.7 V
  • Input Voltage Range: Fixed Output Voltage Type: 0.6 V to 4.8 V Adjustable Output Voltage Type: 0.6 V to 4.6 V
  • High Efficiency: 94% (100 mA/ 5.0 V, VIN = 3.6 V, 25°C) 90% (1 mA/ 5.0 V, VIN = 3.6 V, 25°C)
  • Output Current: 800 mA: VIN = 3.6 V, VOUT = 5.0 V
  • LX Driver ON Resistance: NMOS/ PMOS: 0.20 Ω (VOUT = 5.0 V, 25°C)
  • PWM Oscillator Frequency: 1.2 MHz (Normal PWM), 1.0 MHz (Forced PWM)
  • Output Voltage Range: Fixed Output Voltage Type: 1.8 V to 5.5 V, 0.1 V step Adjustable Output Voltage Type: 1.8 V to 5.5 V (recommended)
  • OVLO Detector Threshold: Typ. 5.1 V
  • OVP Detector Threshold: Typ. 6.0 V
  • LX Peak Current Limit: Typ. 1.5 A
  • Latch Protection Delay Time: Typ. 3.3 ms (RP402Kxx1x, RP402Nxx1x) Typ. 4.1 ms (RP402Kxx2x)
  • Soft-start Time: Typ. 0.5 ms
  • EMI Suppression (Built-in Anti-ringing Switch) (RP402Kxx1x, RP402Nxx1x)
  • Voltage Regulation at VIN > VOUT
  • Zero Input Complete Shutdown at VIN = 0 V
  • Input-to-Output Bypass Shutdown Option at CE = L (RP402xxxxC/ D/ G/ H)
  • Ceramic Capacitor Capable
  • Package: DFN(PLP)2020-8, SOT23-5

Typische Anwendungen

  • MP3 Players, PDA, Digital Still Cameras, LCD Bias Supplies, GPS, USB-OTG, HDMI
  • Portable Blood Pressure Meter, Wireless Handset

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC max.
(mΩ)
fres
(MHz)
IRP,40K
(A)
MontageartIR
(A)
ISAT
(A)
RDC
(mΩ)
RDC typ.
(mΩ)
VOP
(V)
Muster
74404032022SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-LQS SMT-Speicherdrossel 2.2 85 SMT 1.8 1.7 50 120
74438333022SPEC
10 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MAPI SMT-Speicherdrossel 2.2 2.75 4.85 172 50 2.35 SMT 1.4 3.9 150 80
74438334022SPEC
10 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MAPI SMT-Speicherdrossel 2.2 3.6 6.1 115 50 2.9 SMT 1.8 5 100 80
74438335022SPEC
10 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MAPI SMT-Speicherdrossel 2.2 2.5 4.2 108 45 3 SMT 1.8 3.5 94 80
74438336022SPEC
10 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MAPI SMT-Speicherdrossel 2.2 2.75 5.55 80 42 3.6 SMT 2.4 4.3 67 80
78438333022SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MAIA SMT Speicherdrossel 2.2 2.75 4.85 172 50 2.35 SMT 150
78438334022SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MAIA SMT Speicherdrossel 2.2 3.6 6.1 115 50 2.9 SMT 1.8 5 100
78438335022SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MAIA SMT Speicherdrossel 2.2 2.5 4.2 108 45 3 SMT 94
78438336022SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MAIA SMT Speicherdrossel 2.2 2.75 5.55 80 42 3.6 SMT 67
74405031022SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor 2.2 108 46 SMT 1.75 3.35 90
Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC max.
(mΩ)
fres
(MHz)
IRP,40K
(A)
MontageartIR
(A)
ISAT
(A)
RDC
(mΩ)
RDC typ.
(mΩ)
VOP
(V)
Muster