IC-Hersteller ROHM

IC-Hersteller (99)

ROHM BD9611

60V Synchronous Step-down Switching Regulator (Controller Type) - BD9611MUV

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung10-56 V
Schaltfrequenz50-500 kHz
Ausgang 11 V

Beschreibung

The BD9611MUV is a high-resistance, wide voltage input (10V to 56V), synchronous step-down switching regulator. BD9611MUV offers design flexibility through user-programmable functions such as soft-start, operating frequency, high-side current limit, and loop compensation. BD9611MUV uses voltage pulse width modulation, and drives 2 external N-channel FETs. The Under-Voltage Locked Output (EXUVLO) protection connected to its CTL terminal has high accuracy reference voltage. Its threshold voltage can be adjusted by the resistance ratio between VCC and GND as seen by pin CTL. BD9611MUV is safe for pre-biased outputs. It does not turn on the synchronous rectifier until the internal high-side FET has already started switching.

Eigenschaften

  • High Resistance and Wide Range Voltage Input : VCC=10V to 56V
  • Regulated Voltage Output to Drive External FET gate: REG10=10V
  • Internal Reference Voltage Accuracy: 0.8V±1.0%
  • Safe for Pre-biased Outputs
  • Adjustable Operating Frequency and Soft-start
  • Master/Slave Synchronization
  • Over Current Protection (OCP)
  • Under Voltage Locked Output (UVLO, EXUVLO)
  • Thermal Shut-down (TSD)

Typische Anwendungen

  • Factory Automation Equipment
  • Amusement machines
  • Office Automation Equipment
  • LED lighting

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
IRP,40K
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
MaterialIR
(A)
ISAT
(A)
RDC max.
(mΩ)
Montageart Muster
74435561100SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität 10 16.5 10 21.5 6.9 14 WE-PERM 2 15 21.5 7.452 SMT
744750560100SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-FAMI THT Speicherdrossel 10 11.4 13.4 6.8 THT
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
74435561100SPEC

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744750560100SPEC
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(µH)
IRP,40K
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
MaterialIR
(A)
ISAT
(A)
RDC max.
(mΩ)
Montageart Muster