IC-Hersteller (99)
- Alle Hersteller
Analog Devices
Infineon Technologies
Microchip
Onsemi
Renesas
ROHM
STMicroelectronics
Texas Instruments
- 3peak incorporated (27)
- Ablic (23)
- Advanced Power (4)
- Allegro Microsystems (84)
- Alpha & Omega Semiconductor (37)
- AnalogySemi (3)
- AnDAPT Inc (163)
- Anpec (13)
- AXElite (2)
- Backward (6)
- Bright Power Semiconductor (1)
- Broadcom (47)
- Cambridge GaN Devices (18)
- Chipanalog Micro (10)
- Cologne Chips (1)
- Convenient Power (1)
- Dialog Semiconductor (12)
- Diodes Incorporated (238)
- Divimath (8)
- Elmos AG (1)
- EPC (99)
- e-Peas Semiconductors (1)
- Eta Solutions Co. Ltd. (9)
- GaN Systems (7)
- GaNPower (3)
- Giantec (1)
- Gstek Wuxi (1)
- Helix Semiconductor (7)
- Ikanos (3)
- IKON (1)
- Indie Semiconductor (5)
- Innovision Semiconductor Inc (2)
- Intel (80)
- Inventchip Technology (3)
- ISSI (51)
- JoulWatt (20)
- KDPOF (2)
- Kinetic Technology (10)
- Lattice semiconductor Corporation (19)
- Littelfuse (1)
- M3 Technology (M3Tek) (7)
- Macnica (16)
- MaxLinear (175)
- MikroE (8)
- MindCet (2)
- Monolithic Power Systems (931)
- Navitas Semiconductor Inc (6)
- NewEdge Technologies, Inc. (1)
- Nexperia (32)
- Nisshinbo Micro Device Inc. (10)
- Nordic Semiconductor (1)
- Novosense Micro (1)
- NXP (314)
- O2 Micro International Ltd (10)
- On Bright (7)
- Panasonic (2)
- PN Junction Semiconductor (2)
- Power Integrations (102)
- Pulsiv (19)
- Qorvo (87)
- Realsil SuRealsil(tek) Microelectronics (1)
- Richtek (296)
- Sanken Electric Co., Ltd. (16)
- Sckipio (6)
- Semtech (90)
- SG-Micro (33)
- Silanna Semiconductor (8)
- Silergy Corporation (29)
- Silicon Laboratory Inc. (104)
- Silicontent Technology (57)
- Silvertel (56)
- Skycore Semiconductors (1)
- Skyworks (31)
- Southchip (8)
- Summit Wireless (1)
- Tagore Tech (7)
- Taiwan Semiconductor (1)
- TDK Corporation (1)
- Tempo Semiconductor (1)
- Torex (37)
- Toshiba (25)
- Transphorm (21)
- TransSIP (2)
- Union (21)
- uPI Semiconductor (2)
- Valens Semiconductor (18)
- Wise Integration (1)
- Wolfspeed (8)
- Xilinx (22)
- XL Semiconductor (3)
- XYSemi (62)
Texas Instruments LMG3522R030 | Demoboard PMP41078
High-voltage to low-voltage DC-DC converter reference design with GaN HEMT
Details
| Topologie | Gegentaktwandler (Halbbrücken) |
| Eingangsspannung | 200-450 V |
| Ausgang 1 | 16 V / 250 A |
| IC-Revision | 1 |
Beschreibung
This reference design describes a 3.5kW highvoltage to low-voltage DC-DC converter with 650V Gallium nitride (GaN) high-electron mobility transistors (HEMT). Using LMG3522R030 as primary switches makes the converter work at a high switching frequency. In this design, the converter uses a smaller size transformer. To ease the thermal performance of active clamping metal-oxide semiconductor fieldeffect transistors (MOSFETs), the converter uses twochannel active clamping circuits.
Eigenschaften
GaN based phase-shifted full-bridge (PSFB) using LMG3522 and controlled using C29 microcontroller unit (MCU)200kHz switching frequency, magnetic size is 35% less than 100kHz95.48% at 200kHz, 400V Vin, 13.5V Vout, about 1kWDual active clamping circuits for high-frequency scenario and low synchronous rectifier (SR) MOSFET voltage stressLight load efficiency optimization promotes maximum 5% efficiency
Typische Anwendungen
- Automotive DCDC converter
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
| Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (µH) | VT (V (AC)) | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | RDC typ. (mΩ) | RDC max. (mΩ) | Montageart | Vin | VOut1 (V (DC)) | IOut1 (mA) | Isolierungstyp | fswitch (kHz) | ∫Udt (Vµs) | NPRI : NSEC | L (mm) | W (mm) | H (mm) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 744316220 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | 2.2 | – | 9.2 | 3.5 | 7.5 | 11.3 | 108 | Superflux | – | 12.43 | SMT | – | – | – | – | – | – | – | 5.5 | 5.3 | 4 | ||
 | 74439346047 | SPEC | 8 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-XHMI SMT Speicherdrossel | 4.7 | – | 9.6 | 6.5 | 13 | 13 | 28 | – | 13 | 14.3 | SMT | – | – | – | – | – | – | – | 6.65 | 6.45 | 6.1 | ||
 | 750319691 | SPEC | – | 7 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Push-Pull Transformer | 100 | 2500 | – | – | – | – | – | – | – | – | SMT | 12 V (DC) | 12 | 500 | Functional | 400 - 600 | 23 | 1:1.14 | 8.5 | 13.12 | 5.5 | |
 | 760390014 | SPEC | – | 7 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WE-PPTI Push-Pull Transformers | 475 | 2500 | – | – | – | – | – | – | – | – | SMT | 5 V (DC) | 5 | 600 | Functional | 300 - 620 | 11 | 1:1.3 | 6.73 | 10.2 | 4.19 |
| Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | |
|---|---|---|---|
| 744316220 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | |
| 74439346047 | SPEC | |
| 750319691 | SPEC | – |
| 760390014 | SPEC | – |
| Muster |
|---|
| Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L (µH) | VT (V (AC)) | IRP,40K (A) | ISAT1 (A) | ISAT,30% (A) | RDC (mΩ) | fres (MHz) | Material | RDC typ. (mΩ) | RDC max. (mΩ) | Montageart | Vin | VOut1 (V (DC)) | IOut1 (mA) | Isolierungstyp | fswitch (kHz) | ∫Udt (Vµs) | NPRI : NSEC | L (mm) | W (mm) | H (mm) | Muster |
|---|