IC-Hersteller uPI Semiconductor

IC-Hersteller (99)

uPI Semiconductor uP1966D

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung12 V
Ausgang 11 V / 25 A

Beschreibung

This article will demonstrate the performance improvements that can be obtained when using GaN FETs in combination with suitable GaN FET drivers in 12-V input to 1-V output point-of-load converters. The example design described here uses the uP1966D, a dual-channel, synchronous driver IC from uPI Semiconductor in combination with an EPC2100 GaN asymmetrical half-bridge FET from Efficient Power Conversion.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(nH)
LR
(nH)
IR
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
Material Muster
744303012SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität 120 118 31 51.2 59.8 0.325 150 MnZn
744303015SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität 155 150 31 44.5 51.5 0.325 110 MnZn
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
744303012SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

744303015SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(nH)
LR
(nH)
IR
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
Material Muster