WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung | Passive Bauelemente

	Bauform	Maße	L (mm)	W (mm)	H (mm)	Montageart
NEU	0910		9.3	6.1	10.2	SMT
NEU	1111		11.7	5.7	11	SMT

LTSpice-Dateien

LT
LTspice_WE-HCMD (rev24a).zip
|
2.3 KB

Merkmale

Sättigungsstrom bis zu 190 A
Niedriger R_dc bis zu 125uΩ
Kopplungsfaktor bis zu 0,98
Betriebstemperatur von 125 °C
MnZn-Kern, Material mit hoher Durchlässigkeit

Anwendung

TLVR Topologie
Mehrstufige Spannungsregler
CPU-Grundplatinen
Server
FPGA
Internet-Switch
Hochleistungs-ASIC-Anwendungen

Artikeldaten

Alle

0910

1111

Artikel Nr.	Datenblatt	Downloads	Status	L₁ (nH)	L₂ (nH)	I_RP,1 (A)	I_RP,2 (A)	I_SAT,1 (A)	R_{DC1 typ} (mΩ)	R_{DC2 typ} (mΩ)	Kopplungsfaktor (Value)	V_OP (V)
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Muster

Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation	Downloads	Status	L₁ (nH)	L₂ (nH)	I_RP,1 (A)	I_RP,2 (A)	I_SAT,1 (A)	R_{DC1 typ} (mΩ)	R_{DC2 typ} (mΩ)	Kopplungsfaktor (Value)	V_OP (V)	Muster

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