IC-Hersteller Intel

IC-Hersteller (99)

Intel 5CSXFC6D6F31C6N

Cyclone V Device

Details

TopologieAufwärtswandler
Schaltfrequenz800 kHz
IC-Revision2012.12.28

Beschreibung

The Cyclone® V devices are designed to simultaneously accommodate the shrinking power consumption, cost, and time-to-market requirements; and the increasing bandwidth requirements for high-volume and cost-sensitive applications. Enhanced with integrated transceivers and hard memory controllers, the Cyclone V devices are suitable for applications in the industrial, wireless and wireline, military, and automotive markets.

Eigenschaften

  • TSMC's 28-nm low-power (28LP) process technology
  • 1.1 V core voltage
  • Wirebond low-halogen packages
  • Multiple device densities with compatible package footprints for seamless migrationbetween different device densities
  • RoHS-compliant optionsEnhanced 8-input ALM with four registers
  • M10K—10-kilobits (Kb) memory blocks with soft error correction code (ECC)
  • Memory logic array block (MLAB)—640-bit distributed LUTRAM where you canuse up to 25% of the ALMs as MLAB memory
  • Native support for up to three signal processing precision levels(three 9 x 9, two 18 x 18, or one 27 x 27 multiplier) in the samevariable-precision DSP block
  • 64-bit accumulator and cascade
  • Embedded internal coefficient memory
  • Preadder/subtractor for improved efficiencyDDR3, DDR2, and LPDDR2 with 16 and 32 bit ECC supportPCI Express® (PCIe®) Gen2 and Gen1 (x1, x2, or x4) hard IP withmultifunction support, endpoint, and root port
  • Up to 550 MHz global clock network
  • Global, quadrant, and peripheral clock networks
  • Clock networks that are not used can be powered down to reduce dynamic power
  • Precision clock synthesis, clock delay compensation, and zero delay buffering (ZDB)
  • Integer mode and fractional mode
  • 875 megabits per second (Mbps) LVDS receiver and 840 Mbps LVDS transmitter
  • 400 MHz/800 Mbps external memory interface
  • On-chip termination (OCT)
  • 3.3 V support with up to 16 mA drive strength
  • 614 Mbps to 5.0 Gbps integrated transceiver speed
  • Transmit pre-emphasis and receiver equalization
  • Dynamic partial reconfiguration of individual channels
  • Single or dual-core ARM Cortex-A9 MPCore processor-up to 800 MHz maximumfrequency with support for symmetric and asymmetric multiprocessing
  • Interface peripherals—10/100/1000 Ethernet media access control (EMAC), USB 2.0On-The-GO (OTG) controller, quad serial peripheral interface (QSPI) flash controller,NANDflash controller, Secure Digital/MultiMediaCard (SD/MMC) controller, UART,controller area network (CAN), serial peripheral interface (SPI), I2C interface, andup to 85 HPS GPIO interfaces
  • System peripherals—general-purpose timers, watchdog timers, direct memory access(DMA) controller, FPGA configuration manager, and clock and reset managers
  • On-chip RAM and boot ROM
  • HPS–FPGA bridges—include the FPGA-to-HPS, HPS-to-FPGA, and lightweightHPS-to-FPGA bridges that allow the FPGA fabric to issue transactions to slaves inthe HPS, and vice versa
  • FPGA-to-HPS SDRAM controller subsystem—provides a configurable interface tothe multiport front end (MPFE) of the HPS SDRAM controller
  • ARM CoreSight™ JTAG debug access port, trace port, and on-chip trace storage
  • Tamper protection—comprehensive design protection to protect your valuable IPinvestments
  • Enhanced advanced encryption standard (AES) design security features
  • CvP
  • Partial and dynamic reconfiguration of the FPGA
  • Active serial (AS) x1 and x4, passive serial (PS), JTAG, and fast passive parallel (FPP)x8 and x16 configuration options

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
ISAT
(A)
VT
(V (DC))
Materialfres
(MHz)
IRP,40K
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC
(mΩ)
PolesL
(mm)
DampfphasenprozessH
(mm)
Betätigungskraft (Value)
(g)
Elektrische Lebensdauer
(Cycles)
Actuator-FarbeZ @ 100 MHz
(Ω)
Zmax
(Ω)
Testbedingung ZmaxIR 2
(mA)
RDC max.
(mΩ)
TypDatenratePoEPortsTabImproved CMRRBetriebstemperaturLEDPHY-ChipmodusMontageartShield TabsAnwendungPins (Value)
(pcs)
GenderArbeitsspannung
(V (AC))
Raster
(mm)
VersionIR
(A)
Kontaktwiderstand
(mΩ)
Tol. RVerpackung Muster
744311068SPEC

Anstehende PCN

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8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität 0.68 Superflux 105 20.9 9.5 20 3.1 7 3.8 3.41 -40 °C up to +150 °C SMT 2 SMT
744311150SPEC

Anstehende PCN

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8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität 1.5 Superflux 72 13.8 4.5 14 6.6 7 3.8 7.26 -40 °C up to +150 °C SMT 2 SMT
744314650SPEC

Anstehende PCN

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8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität 6.5 Superflux 50 6.6 2 6 21.5 7 4.8 23.65 -40 °C up to +150 °C SMT 2 SMT
74408943100SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-SPC SMT-Speicherdrossel 10 2.1 28 4.8 3.8 94 -40 °C up to +125 °C SMT 2 SMT 1.65
7499011121ASPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-RJ45 LAN Übertrager 350 2250 21.25 13.5 100BASE-TX kein-PoE 1x1 Down Nein -40 °C up to +85 °C gelb-grün current & voltage THT Ja Standard THT
742792780SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CBF SMT-Ferrit 1 0.5 220 360 450 MHz 900 350 Breitband -55 °C up to +125 °C SMT SMT 0.3
742792609SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CBF SMT-Ferrit 1.6 0.8 30 40 1000 MHz 3000 40 High Current -55 °C up to +125 °C SMT SMT 2
416131160804SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WS-DISV Small Compact SMT Flat Actuator with Top Tape 1.27 mm 4 6.25 Ja 500 1000 Weiß -40 °C up to +85 °C 4 1.27 Tape and Reel
434121043816SPEC
5 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WS-TASV SMT Tact Switch 6.0x3.5 mm nicht spezifiziert 4.3 160 50000 Schwarz -40 °C up to +85 °C 0.05 Tape and Reel
61800925023SPEC

Anstehende PCN

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6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-DSUB Male PCB Connector 30.81 Gerade -40 °C up to +85 °C 9 Männlich 125 Standard 3 30 max. Tray
62501421621SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-BHD 2.00 mm Male Box Header 21.2 Gerade -40 °C up to +125 °C THT 14 Männlich 250 2 2 20 max. Tray
693071010811SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-CRD Micro SD Card Connector Push & Push 8 pins Push & Push -25 °C up to +85 °C SMT Micro SD 8 Socket 100 0.5 100 max. Tape and Reel & Mylar
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
744311068SPEC

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74408943100SPEC
7499011121ASPEC
742792780SPEC
742792609SPEC
416131160804SPEC
434121043816SPEC
61800925023SPEC

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62501421621SPEC
693071010811SPEC
Muster
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(µH)
ISAT
(A)
VT
(V (DC))
Materialfres
(MHz)
IRP,40K
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC
(mΩ)
PolesL
(mm)
DampfphasenprozessH
(mm)
Betätigungskraft (Value)
(g)
Elektrische Lebensdauer
(Cycles)
Actuator-FarbeZ @ 100 MHz
(Ω)
Zmax
(Ω)
Testbedingung ZmaxIR 2
(mA)
RDC max.
(mΩ)
TypDatenratePoEPortsTabImproved CMRRBetriebstemperaturLEDPHY-ChipmodusMontageartShield TabsAnwendungPins (Value)
(pcs)
GenderArbeitsspannung
(V (AC))
Raster
(mm)
VersionIR
(A)
Kontaktwiderstand
(mΩ)
Tol. RVerpackung Muster