IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (99)

Onsemi NCP1615C/D | Demoboard ONSEC-17-038

Power Factor Controller, High Voltage, Active X2

Details

TopologieAbwärtswandler
IC-Revision1.0

Beschreibung

The NCP1615 is a high voltage PFC controller designed to drive PFC boost stages based on an innovative Current Controlled Frequency Foldback (CCFF) method. In this mode, the circuit operates in critical conduction mode (CrM) when the inductor current exceeds a programmable value. When the current is below this preset level, the NCP1615 linearly decays the frequency down to a minimum of about 26 kHz at the sinusoidal zero−crossing. CCFF maximizes the efficiency at both nominal and light load. In particular, the standby losses are reduced to a minimum. Innovative circuitry allows near− unity power factor even when the switching frequency is reduced.The integrated high voltage start−up circuit eliminates the need for external start−up components and consumes negligible power during normal operation. Housed in a SOIC−14 or SOIC−16 package, the NCP1615 incorporates the features necessary for robust and compact PFC stages, with few external components.

Eigenschaften

  • High Voltage Start-Up Circuit
  • Critical conduction mode with current controlled frequency foldback
  • Integrated Input Filter Capacitor (X2) Discharge Circuitry
  • Dynamic Response Enhancer
  • Soft Overvoltage Protection
  • -500 mA/+800 mA Drive Capability
  • Two Vcc startup versions: 10.5 V (A & B) and 17 V (C & D)
  • AC Line Brownout Detection
  • PFC Okay Output

Typische Anwendungen

  • Off-line power supplies/ Lighting Ballast/ LED Lighting Drivers and Power Supplies

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
λPeak B typ.
(nm)
λPeak G typ.
(nm)
λPeak R typ.
(nm)
λDom B typ.
(nm)
λDom G typ.
(nm)
λDom R typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
IV B typ.
(mcd)
IV G typ.
(mcd)
IV R typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
VF B typ.
(V)
VF G typ.
(V)
VF R typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
AnwendungCSicherheitsklassedV/dt
(V/µs)
DF @ 1 kHz
(%)
RISOBetriebstemperaturRaster
(mm)
ISAT
(A)
fres
(MHz)
VersionInterface typLeiterplattendicke
(mm)
IR 1
(A)
Arbeitsspannung
(V (DC))
Endurance
(h)
IRIPPLE
(mA)
ILeak
(µA)
DF
(%)
Ø D
(mm)
IR
(A)
L
(mH)
RDC max.
(mΩ)
VR
(V (AC))
VT
(V (AC))
MaterialL
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
MontageartPins (Value)
(pcs)
ReihenG
(mm)
GenderTypVerpackung Muster
150060BS75000SPEC
25 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear 470 Blau 465 145 3.2 InGaN 140 -40 °C up to +85 °C 1.6 0.8 0.7 SMT Tape and Reel
7448030509SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CMBNC Stromkompensierte Netzdrossel Nanokristallin THT 5 9 32 300 2100 Nanokristallin 23 13.5 26 THT 4 5
744823422SPEC
10 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel -40 °C bis zu +125 °C THT 4 4 2.2 30 250 1500 MnZn 23.5 13.8 25.5 THT 4 3
890324023023SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-FTX2 Folienkondensatoren Across the mains100 nF X2 300 0.130 GΩ -40 °C bis zu +105 °C 10 275 13 7 13 Boxed THT 18 Lose
890324024003SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-FTX2 Folienkondensatoren Across the mains330 nF X2 260 0.130 GΩ -40 °C bis zu +105 °C 12.5 275 15 8.5 14 Boxed THT 18 Lose
7447055SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-FI Funkentstördrossel -40 °C bis zu +105 °C 5.4 5.4 0.15 42 26 13 THT 15
7447231101SPEC
13 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-TI Tonneninduktivität 3.1 3.6 Schrumpfschlauch 2.6 0.1 90 11 11 19 THT
150141M173100SPEC
25 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WL-SFTW SMT Full-color TOP LED Waterclear Rot & Grün & Blau 465 515 635 470 520 625 230 950 270 3.2 3.2 2 AlInGaP + InGaN 120 3.5 2.8 1.9 SMT Tape and Reel
860240473003SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren47 µF -40 °C bis zu +105 °C 2.5 5000 160 11.75 14 6.3 25 11 Ammopack
860240574004SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren47 µF -40 °C bis zu +105 °C 3.5 8000 240 16.45 12 8 35 11.5 Ammopack
860240475007SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren220 µF -40 °C bis zu +105 °C 5 10000 580 55 14 10 25 16 Ammopack
860080578019SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-ATLI Aluminium-Elektrolytkondensatoren680 µF -55 °C bis zu +105 °C 5 5000 2260 238 9 13 35 20 Ammopack
632121300001SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-COM USB 3.1 Type A Receptacle Horizontal THT Power Delivery USB 3.1100 MΩ -20 °C bis zu +85 °C Type A 5 20 5 THR 9 Receptacle Horizontal Tray
632723300011SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-COM USB 3.1 Type C Receptacle Horizontal THR / SMT USB 3.11000 MΩ Type C 1.6 20 5 THR 24 1.9 Receptacle Horizontal Tape and Reel
61300211121SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD 2.54 mm THT Pin Header1000 MΩ 2.54 250 3 5.08 THT 2 Single Pin Header Gerade Beutel
61300311121SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD 2.54 mm THT Pin Header1000 MΩ 2.54 250 3 7.62 THT 3 Single Pin Header Gerade Beutel
61300411121SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD 2.54 mm THT Pin Header1000 MΩ 2.54 250 3 10.16 THT 4 Single Pin Header Gerade Beutel
750317576SPEC
Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. Inductor
Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
λPeak B typ.
(nm)
λPeak G typ.
(nm)
λPeak R typ.
(nm)
λDom B typ.
(nm)
λDom G typ.
(nm)
λDom R typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
IV B typ.
(mcd)
IV G typ.
(mcd)
IV R typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
VF B typ.
(V)
VF G typ.
(V)
VF R typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
AnwendungCSicherheitsklassedV/dt
(V/µs)
DF @ 1 kHz
(%)
RISOBetriebstemperaturRaster
(mm)
ISAT
(A)
fres
(MHz)
VersionInterface typLeiterplattendicke
(mm)
IR 1
(A)
Arbeitsspannung
(V (DC))
Endurance
(h)
IRIPPLE
(mA)
ILeak
(µA)
DF
(%)
Ø D
(mm)
IR
(A)
L
(mH)
RDC max.
(mΩ)
VR
(V (AC))
VT
(V (AC))
MaterialL
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
MontageartPins (Value)
(pcs)
ReihenG
(mm)
GenderTypVerpackung Muster