IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (99)

Texas Instruments TPS2373

Details

TopologieEintaktflusswandler
IC-RevisionA

Beschreibung

The TPS2373 contains all of the features needed to implement an IEEE802.3at or IEEE802.3bt (draft) (Type 1-4) powered device (PD). The low internal switch resistance allows the TPS2373-4 and TPS2373-3 to support high power applications up to 90 W and 60 W respectively. Assuming 100-meter CAT5 cable, this translates into 71.3 W and 51 W at PD input. The TPS2373 operates with enhanced features. The Advanced Startup function for DC-DC results in a simple, flexible, and minimal system cost solution, while ensuring that IEEE802.3bt (draft) startup requirements are met. It helps to reduce the size of the low voltage bias capacitor considerably. It also allows long DC-DC converter soft-start period and enables the use of a low-voltage PWM controller. The Automatic MPS function enables applications requiring very low power standby modes. The TPS2373 automatically generates the necessary pulsed current to maintain the PSE power. An external resistor is used to enable this functionality and to program the MPS pulsed current amplitude.

Eigenschaften

  • IEEE 802.3bt (Draft) PD Solution for Type 3 or Type 4 PoE
  • Supports Power Levels for Type-4 ( TPS2373-4) 90-W and Type-3 ( TPS2373-3) 60-W Operation
  • Robust 100 V Hotswap MOSFET– TPS2373-4 (typ.): 0.1-Ω, 2.2-A Current Limit– TPS2373-3 (typ.): 0.3-Ω, 1.85-A Current Limit
  • Allocated Power Indicator Outputs
  • Advanced Startup for DC-DC– Simplifies Downstream DC-DC Design– Compliant to PSE Inrush
  • Automatic Maintain Power Signature (MPS)– Auto-adjust MPS for Type 1-2 or 3-4 PSE– Supports Ultra-Low Power Standby Modes
  • Primary Adapter Priority Input
  • Supports PoE++ PSE
  • -40°C to 125°C Junction Temperature Range
  • 20-lead VQFN Package

Typische Anwendungen

  • IEEE 802.3bt (Draft) Compliant Devices, 4PPOE, Pass-through System
  • Security Cameras, Multiband access points, Pico-base Stations, Video and VoIP Telephones, Systems using Redundant Power Feeds

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
CTol. CBauformQDF
(%)
RISOKeramiktypL
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
Fl
(mm)
VerpackungIR
(mA)
ISAT
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
IRP,40K
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
MaterialVersionVinVOut1
(V)
IOut1
(A)
Vaux
(V)
nZ @ 100 MHz
(Ω)
Zmax
(Ω)
Testbedingung ZmaxIR 2
(mA)
RDC max.
(Ω)
TypWicklungstypWicklungsanzahlL1
(µH)
IR 1
(mA)
RDC1 max.
(Ω)
VR
(V)
DatenratePortsPoEImproved CMRRBetriebstemperaturVT
(V (AC))
MontageartL
(µH)
LSmin.
(nH)
Muster
150060YS75000SPEC
25 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear 590 Gelb 595 120 2 AlInGaP 140 0603 1.6 0.8 0.7 Tape and Reel -40 °C up to +85 °C SMT
74279267SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CBF SMT-Ferrit 0603 1.6 0.8 0.8 0.3 500 SMT 60 110 650 MHz 2000 0.3 High Speed 1 500 0.3 -55 °C up to +125 °C SMT
742792641SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CBF SMT-Ferrit 0603 1.6 0.8 0.8 0.3 1500 SMT 300 450 250 MHz 2000 0.15 High Current 1 2000 0.15 -55 °C up to +125 °C SMT
744272251SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-SL5 Stromkompensierter SMT Line Filter 10 8.7 6.5 2000 SMT 970 0.035 sectional 2 250 2000 0.035 80 1000 SMT 250 1500
744314490SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität 7050 7 6.9 4.8 14.5 56 8.3 2.2 6.5 Superflux SMT 0.01595 11.5 -40 °C up to +150 °C SMT 4.9
74435581200SPEC

Anstehende PCN

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8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität 2212 22.5 22 12 4.3 13 20.1 5 25 MnZn SMT 0.00473 10.5 -40 °C up to +125 °C SMT 12
885012006057SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC)100 pF ±5% 0603 100010 GΩ NP0 Klasse I 1.6 0.8 0.8 0.4 7" Tape & Reel 50 -55 °C up to +125 °C
885012206052SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC)1 µF ±10% 0603 100.1 GΩ X7R Klasse II 1.6 0.8 0.8 0.4 7" Tape & Reel 16 -55 °C up to +125 °C
885012206071SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC)100 nF ±10% 0603 3.55 GΩ X7R Klasse II 1.6 0.8 0.8 0.4 7" Tape & Reel 25 -55 °C up to +125 °C
885012206083SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC)1 nF ±10% 0603 2.510 GΩ X7R Klasse II 1.6 0.8 0.8 0.4 7" Tape & Reel 50 -55 °C up to +125 °C
885012206089SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC)10 nF ±10% 0603 2.510 GΩ X7R Klasse II 1.6 0.8 0.8 0.4 7" Tape & Reel 50 -55 °C up to +125 °C
74404054102SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-LQS SMT-Speicherdrossel 5040 5 5 4 200 0.24 6000 1.9 -40 °C up to +125 °C SMT 1000
7490220122SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-LAN LAN Übertrager 17.55 16 98.8 13.97 SMT 1:1 4PPoE (to 900 mA) 350 10/100/1000BASE-T 1 4PPoE (bis zu 1000 mA) Nein -40 °C up to +105 °C 1500 SMT 350
885012206114SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 100 V(DC)10 nF ±10% 0603 2.510 GΩ X7R Klasse II 1.6 0.8 0.8 0.4 7" Tape & Reel 100 -55 °C up to +125 °C
750341794SPEC
5 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer ER19/4.8/15 21.08 23.37 10.5 Forward 37 - 57 V (DC) 12 6 12 4:4:2:2:4 -40 °C up to +125 °C 2250 SMT 153
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
150060YS75000SPEC
74279267SPEC
742792641SPEC
744272251SPEC
744314490SPEC

Anstehende PCN

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74435581200SPEC

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885012006057SPEC
885012206052SPEC
885012206071SPEC
885012206083SPEC
885012206089SPEC
74404054102SPEC
7490220122SPEC
885012206114SPEC
750341794SPEC
Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
CTol. CBauformQDF
(%)
RISOKeramiktypL
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
Fl
(mm)
VerpackungIR
(mA)
ISAT
(A)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
IRP,40K
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
MaterialVersionVinVOut1
(V)
IOut1
(A)
Vaux
(V)
nZ @ 100 MHz
(Ω)
Zmax
(Ω)
Testbedingung ZmaxIR 2
(mA)
RDC max.
(Ω)
TypWicklungstypWicklungsanzahlL1
(µH)
IR 1
(mA)
RDC1 max.
(Ω)
VR
(V)
DatenratePortsPoEImproved CMRRBetriebstemperaturVT
(V (AC))
MontageartL
(µH)
LSmin.
(nH)
Muster