IC-Hersteller Xilinx

IC-Hersteller (99)

Xilinx XCVU9P-L2FLGA2104E | Demoboard VCU118

VCU118 Evaluation Board

Details

TopologieFPGA
IC-Revision1.1

Beschreibung

The Virtex® UltraScale+™ FPGA VCU118 Evaluation Kit is the ideal development environment for evaluating the cutting edge Virtex UltraScale+ FPGAs. Virtex UltraScale+ devices provide the highest performance and integration capabilities in a FinFET node, including both the highest serial I/O and signal processing bandwidth, as well as the highest on-chip memory density.This kit is ideal for prototyping applications ranging from 1+ Tb/s networking and data center to fully integrated radar/early-warning systems.

Eigenschaften

Virtex UltraScale+ XCVU9P-L2FLGA2104 device

  • Zynq®-7000 AP SoC XC7Z010 based system controller
  • Two 2.5 GB DDR4 80-bit component memory interfaces (five [256 Mb x 16] deviceseach)
  • 288 MB 72-bit RLD3 memory interface comprised of two 1.125 Gb 36-bit devices
  • 1 Gb (128 MB) linear x16 BPI flash memory
  • USB JTAG interface using a Digilent module with separate micro-B USB connector
  • Clock sources:° Si5335A quad clock generator° Three Si570 I2C programmable LVDS clock generators° One SG5032 fixed 250 MHz LVDS clock generator° Si5328B clock multiplier and jitter attenuator for QSFP° Subminiature version A (SMA) connectors (differential)
  • 52 GTY transceivers (13 Quads)° FMC+ HSPC connector (twenty-four GTY transceivers)° 2x28 Gb/s QSFP+ connectors (eight GTY transceivers)° Samtec Firefly connector (four GTY transceiver)° PCIe 16-lane edge connector (sixteen GTY transceivers)
  • PCI Express endpoint connectivity° Gen1 16-lane (x16)° Gen2 16-lane (x16)° Gen3 8-lane (x8)
  • Ethernet PHY SGMII interface with RJ-45 connector
  • Dual USB-to-UART bridge with micro-B USB connector
  • I2C bus
  • Status LEDs
  • User I/O (4-pole DIP switch, 6 each push-button switches, 8 x LED)

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Ersatzartikel Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
IR 1
(mA)
IR 2
(mA)
ISAT
(mA)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
TypH
(mm)
W
(mm)
IR
(A)
RDC max.
(mΩ)
VT
(V (RMS))
MaterialVersionIRP,40K
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
Qmin.LR
(µH)
DatenratePoEPortsTabImproved CMRRBetriebstemperaturLEDPHY-ChipmodusMontageartShield Tabs Muster
744311022SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität 0.22 1.1 290 3.8 6.9 1.1 Superflux SMT 36.4 15 32 0.18 -40 °C up to +150 °C SMT
744311068SPEC

Anstehende PCN

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8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität 0.68 3.1 105 3.8 6.9 3.41 Superflux SMT 20.9 9.5 20 0.52 -40 °C up to +150 °C SMT
7443320068SPEC

Anstehende PCN

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8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität 0.68 108 9.5 11.4 26 1.85 Ferrite SMT 40.2 35.8 39.1 0.66 -40 °C up to +125 °C SMT
74479787210BiSPEC
74479787210A
74479887210A
PTN i| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre.WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität 1 1450 1950 1150 60 75 Low RDC 0.8 2 75 SMT 23 -40 °C up to +125 °C SMT
744311100SPEC

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8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität 1 4.6 85 3.8 6.9 4.6 Superflux SMT 16.8 8 19 0.78 -40 °C up to +150 °C SMT
744025001SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-TPC SMT-Speicherdrossel 1.2 3000 180 2.8 2.8 2.6 42 SMT -40 °C up to +125 °C SMT
74408943033SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-SPC SMT-Speicherdrossel 3.3 3600 64 3.8 4.8 2.6 36 SMT -40 °C up to +125 °C SMT
74479887310ASPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität 10 600 850 125 300 20 High Saturation Current 0.8 2 390 SMT 27 -40 °C up to +125 °C SMT
7499111221ASPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-RJ45 LAN Übertrager 350 13.9 16.79 1500 THT 1000BASE-T kein-PoE 1 Up Nein 0 °C up to +70 °C grün-grün current & voltage THT Ja
Artikel Nr. Daten­blatt Ersatzartikel Simu­lation
744311022SPEC

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74479787210BiSPEC
74479787210A
74479887210A
744311100SPEC

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744025001SPEC
74408943033SPEC
74479887310ASPEC
7499111221ASPEC
Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Ersatzartikel Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
IR 1
(mA)
IR 2
(mA)
ISAT
(mA)
RDC
(mΩ)
fres
(MHz)
TypH
(mm)
W
(mm)
IR
(A)
RDC max.
(mΩ)
VT
(V (RMS))
MaterialVersionIRP,40K
(A)
ISAT1
(A)
ISAT,30%
(A)
Qmin.LR
(µH)
DatenratePoEPortsTabImproved CMRRBetriebstemperaturLEDPHY-ChipmodusMontageartShield Tabs Muster