IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (99)

Texas Instruments AMC1306M05 | Demoboard TIDA-010039_Power Card

Small Reinforced Isolated Modulator With ±50mV Input and CMOS Interface

Details

TopologieSonstige Topologie
Eingangsspannung380-400 V
Ausgang 1800 V / 12.5 A
IC-RevisionE3

Beschreibung

This reference design provides an overview on how to implement a three-level, three-phase, SiC-based AC/DC converter with bi-directional functionality. A high switching frequency of 50 kHz reduces the size of magnetics for the filter design and as a result a higher power density. SiC MOSFETs with switching loss enable higher DC bus voltages of up to 800V and lower switching losses with a peak efficiency of >97%. This design is configurable to work as a two-level or three-level rectifier.

Eigenschaften

  • Rated nominal input of 380 - 400VAC peak, with DC output of 800V
  • Maximum 10-kW, 10-kVA output power at 400-VAC 50- or 60-Hz grid connection
  • High-voltage (1200-V) SiC MOSFET-based fullbridge AC/DC converter for peak efficiency of >97%
  • Compact filter by switching rectifier at 50 kHz
  • Isolated driver ISO5852S with reinforced isolation for driving high-voltage SiC MOSFET and UCC5320S for driving middle Si IGBT
  • Isolated current sensing using AMC1301 for load current monitoring
  • TMS320F28379D control card for digital control

Typische Anwendungen

  • DC Charging (Pile) Station, EV Charging Station Power Module, Energy Storage Power Conversion System (PCS), Three Phase UPS

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
CVR
(V (DC))
dV/dt
(V/µs)
DF @ 1 kHz
(%)
RISOBetriebstemperaturRaster
(mm)
L
(mm)
L
(µH)
IRP,40K
(A)
ISAT
(A)
fres
(MHz)
BauformVersionVinVOut1
(V (DC))
IOut1
(A)
Isolierungstypfswitch
(kHz)
∫Udt
(Vµs)
NPRI : NSECVT
(V (RMS))
MontageartEndurance
(h)
IRIPPLE
(mA)
ILeak
(µA)
DF
(%)
Ø D
(mm)
Z
(mΩ)
RESR
(Ω)
W
(mm)
H
(mm)
IR 1
(mA)
TiTl
(mm)
Pins (Value)
(pcs)
Z @ 100 MHz
(Ω)
Zmax
(Ω)
Testbedingung ZmaxIR 2
(mA)
RDC max.
(Ω)
TypIR
(mA)
Z @ 1 GHz
(Ω)
ReihenG
(mm)
GenderVerpackung Muster
150060VS55040SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WL-SMCD SMT Mono-color Chip LED Diffused 573 Hellgrün 575 60 2 AlInGaP 140 1.6 0603 0.8 0.4 Tape and Reel
742792662SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-CBF SMT-Ferrit -55 °C bis zu +125 °C 1.6 0603 SMT SMT 0.8 0.8 600 1000 1050 120 MHz 830 0.3 Breitband 600 186
74279228260SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead 1.6 0603 SMT SMT 0.8 0.8 26 39 515 MHz 6500 0.008 High Current 6500 33
74279221111SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead 3.2 1206 SMT SMT 1.6 1.1 110 118 150 MHz 5400 0.015 High Current 5400 44
7447709220SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-PD SMT-Speicherdrossel -40 °C bis zu +125 °C 12 22 7 10 1210 Standard SMT 12 10 2 0.028 5300
860080675015SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-ATLI Aluminium-Elektrolytkondensatoren220 µF 50 -55 °C bis zu +105 °C 5 16 5000 1385 110 8 10 Ammopack
865060653010SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-ASLL Aluminium-Elektrolytkondensatoren100 µF 501 MΩ -55 °C bis zu +105 °C 10.5 8.0 x 10.5 SMT V-Chip SMT 5000 350 50 12 8 340 0.227529 8.3 15" Tape & Reel
875105444004SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-PSLP Aluminium-Polymer-Kondensatoren33 µF 20 -55 °C bis zu +105 °C 6.6 5.8 6.3 x 5.8 V-Chip SMT 2000 2200 600 8 6.3 0.035 6.6 15" Tape & Reel
750313638SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-PPTI Push-Pull Transformers -40 °C bis zu +125 °C; including temp rise 9.14 340 1209 Push-Pull 5 V (DC) 5 0.65 Reinforced 300 - 620 10 1:1.3 5000 SMT 12.7 7.62 Tape and Reel
61300211121SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD 2.54 mm THT Pin Header1000 MΩ 2.54 5.08 THT 2 Gerade 3000 Single Pin Header Beutel
74650073RSPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WP-THRBU REDCUBE THR with internal through-hole thread THR 7 3 M3 2.5 4 50000 Tape and Reel
890303325008CSSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-FTBP Folienkondensatoren150 nF 630 200 0.130000 MΩ -40 °C bis zu +105 °C 15 18 Pitch 15 mm THT 0.06122 7 13 4 Karton
750343811SPEC
4 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. Inductor 42 9.5 15 Toroid THT 27 42 4 Tray
750343810SPEC
4 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. Inductor 67.5 340 24 Toroid THT 67.5 39.88 4 Tray
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
150060VS55040SPEC
742792662SPEC
74279228260SPEC
74279221111SPEC
7447709220SPEC
860080675015SPEC
865060653010SPEC
875105444004SPEC
750313638SPEC
61300211121SPEC
74650073RSPEC
890303325008CSSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

750343811SPEC
750343810SPEC
Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
CVR
(V (DC))
dV/dt
(V/µs)
DF @ 1 kHz
(%)
RISOBetriebstemperaturRaster
(mm)
L
(mm)
L
(µH)
IRP,40K
(A)
ISAT
(A)
fres
(MHz)
BauformVersionVinVOut1
(V (DC))
IOut1
(A)
Isolierungstypfswitch
(kHz)
∫Udt
(Vµs)
NPRI : NSECVT
(V (RMS))
MontageartEndurance
(h)
IRIPPLE
(mA)
ILeak
(µA)
DF
(%)
Ø D
(mm)
Z
(mΩ)
RESR
(Ω)
W
(mm)
H
(mm)
IR 1
(mA)
TiTl
(mm)
Pins (Value)
(pcs)
Z @ 100 MHz
(Ω)
Zmax
(Ω)
Testbedingung ZmaxIR 2
(mA)
RDC max.
(Ω)
TypIR
(mA)
Z @ 1 GHz
(Ω)
ReihenG
(mm)
GenderVerpackung Muster